트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
JAN2N3867S Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 3A TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/350 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음4,086
JAN2N3868 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.003A TO-5 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/350 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음3,132
JAN2N3868S Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.003A TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/350 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음7,506
JAN2N3879 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 75V 7A TO-66 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/526 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 400mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 25mA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 5V 전력-최대: 35W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)	재고 있음4,806
JAN2N3902 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 3.5A TO3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/371 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 700mA, 3.5A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 5V 전력-최대: 5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)	재고 있음5,670
JAN2N3960 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 12V TO-18 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/399 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)	재고 있음4,932
JAN2N3960UB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 12V UB 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/399 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UB	재고 있음6,012
JAN2N3996 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 10A TO111 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/374 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Stud Mount 패키지 / 케이스: TO-111-4, Stud 공급자 장치 패키지: TO-111	재고 있음5,148
JAN2N3997 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 10A TO111 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/374 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Stud Mount 패키지 / 케이스: TO-111-4, Stud 공급자 장치 패키지: TO-111	재고 있음7,938
JAN2N3998 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 10A TO59 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/374 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Stud Mount 패키지 / 케이스: TO-210AA, TO-59-4, Stud 공급자 장치 패키지: TO-59	재고 있음6,390
JAN2N3999 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 10A TO59 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/374 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Stud Mount 패키지 / 케이스: TO-210AA, TO-59-4, Stud 공급자 장치 패키지: TO-59	재고 있음6,678
JAN2N4029 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/512 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)	재고 있음3,600
JAN2N4033 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/512 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음8,298
JAN2N4033UB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/512 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음4,500
JAN2N4150 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 70V 10A TO-5 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/394 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음7,056
JAN2N4150S Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 70V 10A TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/394 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음3,562
JAN2N4234 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 1A TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/580 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음8,640
JAN2N4235 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,210
JAN2N4236 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 1A TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/580 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음8,370
JAN2N4237 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1A TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/581 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음6,480
JAN2N4238 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 1A TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/581 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음7,038
JAN2N4239 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 1A TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/581 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음7,218
JAN2N4261 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 15V 0.03A TO-72 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/511 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 1V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-72-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-72	재고 있음3,474
JAN2N4261UB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 15V 0.03A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/511 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 1V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UB	재고 있음6,750
JAN2N4399 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 30A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/433 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 1A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V 전력-최대: 5W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음6,444
JAN2N4449 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V TO46 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/317 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 400nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V 전력-최대: 360mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-46 (TO-206AB)	재고 있음8,622
JAN2N5002 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 5A TO59 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/534 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Stud Mount 패키지 / 케이스: TO-210AA, TO-59-4, Stud 공급자 장치 패키지: TO-59	재고 있음4,986
JAN2N5003 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 5A TO59 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/535 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Stud Mount 패키지 / 케이스: TO-210AA, TO-59-4, Stud 공급자 장치 패키지: TO-59	재고 있음6,984
JAN2N5004 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 5A TO59 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/534 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Stud Mount 패키지 / 케이스: TO-210AA, TO-59-4, Stud 공급자 장치 패키지: TO-59	재고 있음3,636
JAN2N5005 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 5A TO59 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/535 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Stud Mount 패키지 / 케이스: TO-210AA, TO-59-4, Stud 공급자 장치 패키지: TO-59	재고 있음2,358

JAN2N3867S

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 3A TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/350
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음4,086

JAN2N3868

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.003A TO-5

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/350
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음3,132

JAN2N3868S

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.003A TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/350
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음7,506

JAN2N3879

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 75V 7A TO-66

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/526
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 400mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 25mA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 5V
전력-최대: 35W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)

재고 있음4,806

JAN2N3902

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 3.5A TO3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/371
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 700mA, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 5V
전력-최대: 5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)

재고 있음5,670

JAN2N3960

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 12V TO-18

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/399
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

재고 있음4,932

JAN2N3960UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 12V UB

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/399
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UB

재고 있음6,012

JAN2N3996

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 10A TO111

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/374
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Stud Mount
패키지 / 케이스: TO-111-4, Stud
공급자 장치 패키지: TO-111

재고 있음5,148

JAN2N3997

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 10A TO111

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/374
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Stud Mount
패키지 / 케이스: TO-111-4, Stud
공급자 장치 패키지: TO-111

재고 있음7,938

JAN2N3998

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 10A TO59

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/374
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Stud Mount
패키지 / 케이스: TO-210AA, TO-59-4, Stud
공급자 장치 패키지: TO-59

재고 있음6,390

JAN2N3999

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 10A TO59

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/374
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Stud Mount
패키지 / 케이스: TO-210AA, TO-59-4, Stud
공급자 장치 패키지: TO-59

재고 있음6,678

JAN2N4029

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/512
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

재고 있음3,600

JAN2N4033

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/512
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음8,298

JAN2N4033UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/512
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음4,500

JAN2N4150

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 70V 10A TO-5

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/394
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음7,056

JAN2N4150S

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 70V 10A TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/394
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음3,562

JAN2N4234

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 1A TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/580
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음8,640

JAN2N4235

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,210

JAN2N4236

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 1A TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/580
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음8,370

JAN2N4237

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1A TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/581
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음6,480

JAN2N4238

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 1A TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/581
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음7,038

JAN2N4239

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 1A TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/581
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음7,218

JAN2N4261

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 15V 0.03A TO-72

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/511
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 1V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-72-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-72

재고 있음3,474

JAN2N4261UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 15V 0.03A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/511
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 1V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UB

재고 있음6,750

JAN2N4399

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 30A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/433
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 1A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V
전력-최대: 5W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음6,444

JAN2N4449

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V TO46

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/317
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 400nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
전력-최대: 360mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-46 (TO-206AB)

재고 있음8,622

JAN2N5002

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 5A TO59

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/534
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Stud Mount
패키지 / 케이스: TO-210AA, TO-59-4, Stud
공급자 장치 패키지: TO-59

재고 있음4,986

JAN2N5003

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 5A TO59

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/535
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Stud Mount
패키지 / 케이스: TO-210AA, TO-59-4, Stud
공급자 장치 패키지: TO-59

재고 있음6,984

JAN2N5004

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 5A TO59

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/534
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Stud Mount
패키지 / 케이스: TO-210AA, TO-59-4, Stud
공급자 장치 패키지: TO-59

재고 있음3,636

JAN2N5005

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 5A TO59

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/535
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Stud Mount
패키지 / 케이스: TO-210AA, TO-59-4, Stud
공급자 장치 패키지: TO-59

재고 있음2,358

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