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트랜지스터

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부품 번호
설명
재고 있음
수량
JAN2N6284
JAN2N6284

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 20A TO-3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/504
  • 트랜지스터 유형: NPN - Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1250 @ 10A, 3V
  • 전력-최대: 175W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)
재고 있음84
JAN2N6287
JAN2N6287

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 20A TO-3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/505
  • 트랜지스터 유형: PNP - Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1250 @ 10A, 3V
  • 전력-최대: 175W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)
재고 있음2,106
JAN2N6298
JAN2N6298

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 60V 8A TO-66

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/540
  • 트랜지스터 유형: PNP - Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 80mA, 8A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
  • 전력-최대: 64W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
  • 공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)
재고 있음2,664
JAN2N6299
JAN2N6299

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 8A TO-213AA

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/540
  • 트랜지스터 유형: PNP - Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
  • 전력-최대: 64W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음8,892
JAN2N6300
JAN2N6300

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 60V 8A TO66

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/539
  • 트랜지스터 유형: NPN - Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
  • 전력-최대: 75W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
  • 공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)
재고 있음7,488
JAN2N6306
JAN2N6306

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 250V 8A TO3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/498
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 8A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 5V
  • 전력-최대: 125W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)
재고 있음8,478
JAN2N6308
JAN2N6308

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 350V 8A TO3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/498
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 2.67A, 8A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 12 @ 3A, 5V
  • 전력-최대: 125W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)
재고 있음6,768
JAN2N6350
JAN2N6350

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 5A TO33

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/472
  • 트랜지스터 유형: NPN - Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 5A
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 5A, 5V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AC, TO-33-4 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-33
재고 있음3,870
JAN2N6351
JAN2N6351

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 150V 5A TO-33

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/472
  • 트랜지스터 유형: NPN - Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 10mA, 5A
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AC, TO-33-4 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-33
재고 있음2,412
JAN2N6353
JAN2N6353

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 150V 5A TO-33

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/472
  • 트랜지스터 유형: NPN - Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 10mA, 5A
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
  • 전력-최대: 2W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)
재고 있음504
JAN2N6383
JAN2N6383

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 40V 10A TO-33

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/523
  • 트랜지스터 유형: NPN - Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
  • 전력-최대: 6W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)
재고 있음6,228
JAN2N6384
JAN2N6384

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 60V 10A TO3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/523
  • 트랜지스터 유형: NPN - Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
  • 전력-최대: 6W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)
재고 있음7,542
JAN2N6385
JAN2N6385

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 10A TO3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/523
  • 트랜지스터 유형: NPN - Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
  • 전력-최대: 6W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)
재고 있음4,734
JAN2N6437
JAN2N6437

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 25A

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음116
JAN2N6438
JAN2N6438

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 120V 25A

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,160
JAN2N6546
JAN2N6546

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 15A TO3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/525
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 12 @ 5A, 2V
  • 전력-최대: 175W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)
재고 있음4,356
JAN2N6547
JAN2N6547

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 15A TO3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/525
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 12 @ 5A, 2V
  • 전력-최대: 175W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)
재고 있음7,272
JAN2N657
JAN2N657

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 0.02A

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-5
재고 있음6,372
JAN2N657S
JAN2N657S

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 0.02A

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-5
재고 있음4,842
JAN2N6674
JAN2N6674

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 15A TO3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/537
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 5A, 15A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 10A, 2V
  • 전력-최대: 6W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)
재고 있음4,374
JAN2N6675
JAN2N6675

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 15A TO3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/537
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 5A, 15A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 10A, 2V
  • 전력-최대: 6W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)
재고 있음5,580
JAN2N6676
JAN2N6676

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 15A TO3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/538
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 3A, 15A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 3V
  • 전력-최대: 6W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)
재고 있음5,508
JAN2N6678
JAN2N6678

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 15A TO3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/538
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 3A, 15A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 3V
  • 전력-최대: 6W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)
재고 있음5,742
JAN2N697
JAN2N697

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/99
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
  • 전력-최대: 600mW
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-5
재고 있음8,010
JAN2N706
JAN2N706

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V 10MA

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,690
JAN2N708
JAN2N708

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/312
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 25nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
  • 전력-최대: 360mW
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)
재고 있음5,814
JAN2N718A
JAN2N718A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.5A

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/181
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
  • 전력-최대: 500mW
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)
재고 있음3,294
JAN2N720A
JAN2N720A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 0.5A TO-18

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/182
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
  • 전력-최대: 500mW
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)
재고 있음8,640
JAN2N7369
JAN2N7369

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,776
JAN2N7370
JAN2N7370

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 12A TO254

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/624
  • 트랜지스터 유형: NPN - Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V
  • 전력-최대: 100W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-254AA
재고 있음3,258