트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
JANTX2N3019 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/391 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음4,392
JANTX2N3019S Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/391 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음2,142
JANTX2N3019/TR Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 SMALL-SIGNAL BJT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/391 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음8,136
JANTX2N3055 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 70V 15A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/407 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 3.3A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V 전력-최대: 6W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음8,244
JANTX2N3057A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/391 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-46	재고 있음2,178
JANTX2N3250A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.2A TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/323 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V 전력-최대: 360mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음8,424
JANTX2N3251A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.2A TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/323 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 360mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음4,824
JANTX2N3251AUB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.2A TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/323 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 360mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UB	재고 있음3,312
JANTX2N3418 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/393 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 5µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음4,050
JANTX2N3418S Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/393 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 5µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음3,996
JANTX2N3419 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 3A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/393 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 5µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음5,976
JANTX2N3419S Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 3A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/393 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 5µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음7,020
JANTX2N3420 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/393 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 5µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음8,964
JANTX2N3420S Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/393 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 5µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음2,394
JANTX2N3421 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 3A TO-5 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/393 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 5µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음13,608
JANTX2N3421S Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 3A TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/393 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 5µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음2,232
JANTX2N3439 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 350V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/368 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 2µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음5,202
JANTX2N3439L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 350V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/368 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 2µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음5,994
JANTX2N3439U4 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 350V 1A UA 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,916
JANTX2N3439UA Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 350V 1A UA 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/368 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 2µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UA	재고 있음7,272
JANTX2N3440 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 250V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/368 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 2µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음6,282
JANTX2N3440L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 250V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/368 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 2µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음8,730
JANTX2N3440UA Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 250V 1A TO-5 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/368 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 2µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UA	재고 있음7,182
JANTX2N3441 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 3A TO-66 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/369 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 4V 전력-최대: 3W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)	재고 있음8,136
JANTX2N3442 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 10A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/307 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V 전력-최대: 6W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음6,005
JANTX2N3467 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 1A TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/348 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음20,748
JANTX2N3468 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 1A TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/348 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음5,778
JANTX2N3486A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.6A TO46 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/392 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-46-3	재고 있음5,598
JANTX2N3498 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 0.5A TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/366 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음6,528
JANTX2N3498L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 0.5A TO5 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/366 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음6,714

JANTX2N3019

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/391
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음4,392

JANTX2N3019S

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/391
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음2,142

JANTX2N3019/TR

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

SMALL-SIGNAL BJT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/391
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음8,136

JANTX2N3055

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 70V 15A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/407
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 3.3A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
전력-최대: 6W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음8,244

JANTX2N3057A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/391
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-46

재고 있음2,178

JANTX2N3250A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.2A TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/323
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V
전력-최대: 360mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음8,424

JANTX2N3251A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.2A TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/323
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 360mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음4,824

JANTX2N3251AUB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.2A TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/323
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 360mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UB

재고 있음3,312

JANTX2N3418

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/393
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 5µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음4,050

JANTX2N3418S

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/393
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 5µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음3,996

JANTX2N3419

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 3A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/393
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 5µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음5,976

JANTX2N3419S

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 3A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/393
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 5µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음7,020

JANTX2N3420

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/393
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 5µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음8,964

JANTX2N3420S

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/393
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 5µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음2,394

JANTX2N3421

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 3A TO-5

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/393
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 5µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음13,608

JANTX2N3421S

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 3A TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/393
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 5µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음2,232

JANTX2N3439

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 350V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/368
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 2µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음5,202

JANTX2N3439L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 350V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/368
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 2µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음5,994

JANTX2N3439U4

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 350V 1A UA

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,916

JANTX2N3439UA

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 350V 1A UA

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/368
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 2µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UA

재고 있음7,272

JANTX2N3440

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 250V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/368
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 2µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음6,282

JANTX2N3440L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 250V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/368
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 2µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음8,730

JANTX2N3440UA

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 250V 1A TO-5

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/368
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 2µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UA

재고 있음7,182

JANTX2N3441

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 3A TO-66

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/369
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 4V
전력-최대: 3W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)

재고 있음8,136

JANTX2N3442

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 10A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/307
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V
전력-최대: 6W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음6,005

JANTX2N3467

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 1A TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/348
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음20,748

JANTX2N3468

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 1A TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/348
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음5,778

JANTX2N3486A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.6A TO46

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/392
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-46-3

재고 있음5,598

JANTX2N3498

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 0.5A TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/366
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음6,528

JANTX2N3498L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 0.5A TO5

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/366
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음6,714

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