트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
JANTX2N3700UB/TR Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 SMALL-SIGNAL BJT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/391 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UB	재고 있음8,262
JANTX2N3716 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 DIODE 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/408 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V 전력-최대: 5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)	재고 있음5,742
JANTX2N3716 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 10A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/408 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V 전력-최대: 5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)	재고 있음3,420
JANTX2N3735 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1.5A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/395 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음4,680
JANTX2N3735L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1.5A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/395 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음2,340
JANTX2N3737 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1.5A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/395 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-46-3 공급자 장치 패키지: TO-46 (TO-206AB)	재고 있음7,776
JANTX2N3737UB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1.5A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/395 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UB	재고 있음3,870
JANTX2N3739 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 1A TO-66 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/402 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 25mA, 250mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 250mA, 10V 전력-최대: 20W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음39
JANTX2N3740 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 4A TO-66 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/441 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V 전력-최대: 25W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,250
JANTX2N3741 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 4A TO-66 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/441 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 1.25mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V 전력-최대: 3W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)	재고 있음18
JANTX2N3741 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 4A TO-66 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/441 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V 전력-최대: 25W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)	재고 있음265
JANTX2N3743 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 0.2A TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/397 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 3mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 250nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 30mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음5,904
JANTX2N3749 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 5A TO111 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/315 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 20µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Stud Mount 패키지 / 케이스: TO-111-4, Stud 공급자 장치 패키지: TO-111	재고 있음3,870
JANTX2N3762 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 1.5A TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/396 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 1.5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음121
JANTX2N3763 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR PNP TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/396 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음3,942
JANTX2N3766 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 4A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/518 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V 전력-최대: 25W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)	재고 있음6,390
JANTX2N3767 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,474
JANTX2N3771 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 30A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/518 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 6A, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 4V 전력-최대: 6W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음4,446
JANTX2N3772 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 20A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/518 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 4A, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 4V 전력-최대: 6W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음7,938
JANTX2N3792 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 10A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/379 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V 전력-최대: 5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음7,542
JANTX2N3867 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 3A TO5 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/350 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음3,472
JANTX2N3867S Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 3A TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/350 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음3,762
JANTX2N3868 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 DIODE 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음312
JANTX2N3868 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.003A TO-5 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/350 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음210
JANTX2N3868S Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.003A TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/350 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음6,246
JANTX2N3879 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 75V 7A TO-66 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/526 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 400mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 25mA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 5V 전력-최대: 35W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,272
JANTX2N3902 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 3.5A TO3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/371 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 700mA, 3.5A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 5V 전력-최대: 5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)	재고 있음3,544
JANTX2N3960 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 12V TO-18 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/399 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)	재고 있음5,886
JANTX2N3960UB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 12V UB 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/399 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UB	재고 있음2,646
JANTX2N3996 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 10A TO111 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/374 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: TO-111-4, Stud 공급자 장치 패키지: TO-111	재고 있음2,790

JANTX2N3700UB/TR

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

SMALL-SIGNAL BJT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/391
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UB

재고 있음8,262

JANTX2N3716

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

DIODE

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/408
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V
전력-최대: 5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)

재고 있음5,742

JANTX2N3716

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 10A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/408
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V
전력-최대: 5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)

재고 있음3,420

JANTX2N3735

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1.5A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/395
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음4,680

JANTX2N3735L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1.5A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/395
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음2,340

JANTX2N3737

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1.5A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/395
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-46-3
공급자 장치 패키지: TO-46 (TO-206AB)

재고 있음7,776

JANTX2N3737UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1.5A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/395
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UB

재고 있음3,870

JANTX2N3739

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 1A TO-66

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/402
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 25mA, 250mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 250mA, 10V
전력-최대: 20W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음39

JANTX2N3740

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 4A TO-66

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/441
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V
전력-최대: 25W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,250

JANTX2N3741

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 4A TO-66

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/441
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 1.25mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V
전력-최대: 3W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)

재고 있음18

JANTX2N3741

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 4A TO-66

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/441
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V
전력-최대: 25W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)

재고 있음265

JANTX2N3743

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 0.2A TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/397
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 3mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 250nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 30mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음5,904

JANTX2N3749

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 5A TO111

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/315
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 20µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Stud Mount
패키지 / 케이스: TO-111-4, Stud
공급자 장치 패키지: TO-111

재고 있음3,870

JANTX2N3762

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 1.5A TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/396
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 1.5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음121

JANTX2N3763

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR PNP TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/396
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음3,942

JANTX2N3766

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 4A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/518
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V
전력-최대: 25W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)

재고 있음6,390

JANTX2N3767

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,474

JANTX2N3771

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 30A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/518
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 6A, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 4V
전력-최대: 6W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음4,446

JANTX2N3772

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 20A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/518
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 4A, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 4V
전력-최대: 6W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음7,938

JANTX2N3792

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 10A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/379
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V
전력-최대: 5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음7,542

JANTX2N3867

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 3A TO5

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/350
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음3,472

JANTX2N3867S

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 3A TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/350
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음3,762

JANTX2N3868

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

DIODE

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음312

JANTX2N3868

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.003A TO-5

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/350
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음210

JANTX2N3868S

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.003A TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/350
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음6,246

JANTX2N3879

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 75V 7A TO-66

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/526
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 400mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 25mA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 5V
전력-최대: 35W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,272

JANTX2N3902

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 3.5A TO3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/371
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 700mA, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 5V
전력-최대: 5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)

재고 있음3,544

JANTX2N3960

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 12V TO-18

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/399
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

재고 있음5,886

JANTX2N3960UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 12V UB

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/399
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UB

재고 있음2,646

JANTX2N3996

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 10A TO111

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/374
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: TO-111-4, Stud
공급자 장치 패키지: TO-111

재고 있음2,790

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