트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
JANTX2N6251 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 350V 10A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.67A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6 @ 10A, 3V 전력-최대: 5.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음208
JANTX2N6251T1 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 350V 10A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.67A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6 @ 10A, 3V 전력-최대: 6W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) 공급자 장치 패키지: TO-254AA	재고 있음6,768
JANTX2N6274 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 50A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/514 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 10A, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20A, 4V 전력-최대: 250W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AE 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음82
JANTX2N6277 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 50A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/514 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 10A, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20A, 4V 전력-최대: 250W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음8,964
JANTX2N6284 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 DIODE 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/504 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1250 @ 10A, 3V 전력-최대: 175W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)	재고 있음3,526
JANTX2N6284 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 20A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/504 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1250 @ 10A, 3V 전력-최대: 175W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)	재고 있음7,002
JANTX2N6286 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 20A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/505 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1250 @ 10A, 3V 전력-최대: 175W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)	재고 있음2,376
JANTX2N6287 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 DIODE 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/505 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V 전력-최대: 175W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음323
JANTX2N6287 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 20A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/505 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1250 @ 10A, 3V 전력-최대: 175W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음96
JANTX2N6298 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 60V 8A TO-66 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/540 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 80mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V 전력-최대: 64W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,892
JANTX2N6299 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 DIODE 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/540 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 80mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V 전력-최대: 64W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,382
JANTX2N6299 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 8A TO-66 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/540 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V 전력-최대: 64W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: -	재고 있음9,192
JANTX2N6301 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,822
JANTX2N6306 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 250V 8A TO3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/498 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 5V 전력-최대: 125W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)	재고 있음8,154
JANTX2N6308 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 350V 8A TO3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/498 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 2.67A, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 12 @ 3A, 5V 전력-최대: 125W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)	재고 있음4,932
JANTX2N6341 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 25A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/509 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.8V @ 2.5A, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10A, 2V 전력-최대: 200W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음2,088
JANTX2N6350 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 5A TO33 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/472 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 5A, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AC, TO-33-4 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-33	재고 있음8,766
JANTX2N6351 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 150V 5A TO-33 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/472 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 10mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AC, TO-33-4 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-33	재고 있음2,665
JANTX2N6352 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 5A TO-33 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/472 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 5A, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)	재고 있음7,110
JANTX2N6353 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 150V 5A TO-33 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/472 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 10mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)	재고 있음4,014
JANTX2N6383 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,200
JANTX2N6384 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 60V 10A TO3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/523 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V 전력-최대: 6W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)	재고 있음5,580
JANTX2N6437 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 25A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,886
JANTX2N6438 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 120V 25A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,472
JANTX2N6546 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 15A TO3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/525 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 12 @ 5A, 2V 전력-최대: 175W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)	재고 있음7,416
JANTX2N6547 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 15A TO3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/525 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 12 @ 5A, 2V 전력-최대: 175W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)	재고 있음610
JANTX2N6650 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 10A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/527 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 100µA, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V 전력-최대: 5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)	재고 있음1,834
JANTX2N6674 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,064
JANTX2N6676 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,250
JANTX2N708 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 15V 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/312 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 25nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V 전력-최대: 360mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)	재고 있음4,446

JANTX2N6251

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 350V 10A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.67A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6 @ 10A, 3V
전력-최대: 5.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음208

JANTX2N6251T1

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 350V 10A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.67A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6 @ 10A, 3V
전력-최대: 6W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
공급자 장치 패키지: TO-254AA

재고 있음6,768

JANTX2N6274

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 50A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/514
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 10A, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20A, 4V
전력-최대: 250W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AE
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음82

JANTX2N6277

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 50A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/514
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 10A, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20A, 4V
전력-최대: 250W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음8,964

JANTX2N6284

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

DIODE

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/504
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1250 @ 10A, 3V
전력-최대: 175W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)

재고 있음3,526

JANTX2N6284

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 20A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/504
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1250 @ 10A, 3V
전력-최대: 175W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)

재고 있음7,002

JANTX2N6286

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 20A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/505
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1250 @ 10A, 3V
전력-최대: 175W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)

재고 있음2,376

JANTX2N6287

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

DIODE

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/505
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V
전력-최대: 175W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음323

JANTX2N6287

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 20A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/505
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1250 @ 10A, 3V
전력-최대: 175W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음96

JANTX2N6298

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 60V 8A TO-66

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/540
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
전력-최대: 64W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,892

JANTX2N6299

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

DIODE

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/540
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
전력-최대: 64W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,382

JANTX2N6299

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 8A TO-66

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/540
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
전력-최대: 64W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: -

재고 있음9,192

JANTX2N6301

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,822

JANTX2N6306

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 250V 8A TO3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/498
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 5V
전력-최대: 125W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)

재고 있음8,154

JANTX2N6308

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 350V 8A TO3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/498
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 2.67A, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 12 @ 3A, 5V
전력-최대: 125W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)

재고 있음4,932

JANTX2N6341

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 25A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/509
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.8V @ 2.5A, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10A, 2V
전력-최대: 200W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음2,088

JANTX2N6350

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 5A TO33

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/472
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 5A, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AC, TO-33-4 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-33

재고 있음8,766

JANTX2N6351

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 150V 5A TO-33

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/472
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 10mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AC, TO-33-4 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-33

재고 있음2,665

JANTX2N6352

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 5A TO-33

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/472
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 5A, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)

재고 있음7,110

JANTX2N6353

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 150V 5A TO-33

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/472
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 10mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)

재고 있음4,014

JANTX2N6383

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,200

JANTX2N6384

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 60V 10A TO3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/523
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
전력-최대: 6W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)

재고 있음5,580

JANTX2N6437

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 25A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,886

JANTX2N6438

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 120V 25A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,472

JANTX2N6546

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 15A TO3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/525
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 12 @ 5A, 2V
전력-최대: 175W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)

재고 있음7,416

JANTX2N6547

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 15A TO3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/525
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 12 @ 5A, 2V
전력-최대: 175W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)

재고 있음610

JANTX2N6650

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 10A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/527
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 100µA, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
전력-최대: 5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)

재고 있음1,834

JANTX2N6674

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,064

JANTX2N6676

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,250

JANTX2N708

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/312
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 25nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
전력-최대: 360mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

재고 있음4,446

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