트랜지스터

JANTX2N718A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.5A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/181
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 500mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

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JANTX2N720A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 0.5A TO-18

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/182
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 500mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

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JANTX2N7370

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 12A TO254

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/624
• 트랜지스터 유형: NPN - Darlington
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
• 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V
• 전력-최대: 100W
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
• 공급자 장치 패키지: TO-254AA

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JANTX2N7373

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 5A TO254

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/613
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
• 전류-수집기 차단 (최대): 50µA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
• 전력-최대: 4W
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
• 공급자 장치 패키지: TO-254AA

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JANTX2N918

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V 0.05A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: *
• 트랜지스터 유형: -
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
• 전류-수집기 차단 (최대): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
• 전력-최대: -
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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JANTX2N918UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V 0.05A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/301
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V
• 전력-최대: 200mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
• 공급자 장치 패키지: UB

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JANTX2N930

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.03A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/253
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500µA, 10mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 2nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V
• 전력-최대: 300mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

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JANTXN3251AUB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.2A TO-39

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: -
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
• 전류-수집기 차단 (최대): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
• 전력-최대: -
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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JANTXV2N1613L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.5A TO-5

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/181
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 800mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-39

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JANTXV2N1893

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 0.5A TO-5

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/182
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 800mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-5

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JANTXV2N1893S

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 0.5A TO-39

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/182
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 3W
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

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JANTXV2N2218

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.8A TO39

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/251
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 800mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

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JANTXV2N2218A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.8A TO39

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/251
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 800mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

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JANTXV2N2218AL

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.8A TO5

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/251
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 800mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-5

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JANTXV2N2219

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.8A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/251
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 800mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-205AD

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JANTXV2N2219A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.8A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/251
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 800mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-205AD

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

JANTXV2N2219AL

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.8A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/251
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 800mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-5

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JANTXV2N2221A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.8A TO18

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/255
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 50nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 500mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

JANTXV2N2221AL

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.8A TO18

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/255
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 50nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 500mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

JANTXV2N2221AUA

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.8A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/255
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 50nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 500mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
• 공급자 장치 패키지: UA

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JANTXV2N2222A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.8A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/255
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 50nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 500mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

JANTXV2N2222AL

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.8A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/255
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 50nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 500mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

JANTXV2N2222AUA

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.8A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/255
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 50nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 500mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
• 공급자 장치 패키지: 4-SMD

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

JANTXV2N2222AUB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.8A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/255
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 50nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 500mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
• 공급자 장치 패키지: UB

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

JANTXV2N2369A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V TO18

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/317
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 400nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
• 전력-최대: 360mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

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JANTXV2N2369AUA

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/317
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 400nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
• 전력-최대: 360mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
• 공급자 장치 패키지: UA

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JANTXV2N2369AUB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V 4UB

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/317
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 400nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
• 전력-최대: 400mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
• 공급자 장치 패키지: UB

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JANTXV2N2432A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.1A TO-18

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/313
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 0.15mV @ 500µA, 10V
• 전류-수집기 차단 (최대): 10nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
• 전력-최대: 300mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

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JANTXV2N2484

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.05A TO18

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/376
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 2nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V
• 전력-최대: 360mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18

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JANTXV2N2484UA

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.05A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/376
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 2nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V
• 전력-최대: 360mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
• 공급자 장치 패키지: UA

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