트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
JANTXV2N3634L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 140V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/357 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음5,778
JANTXV2N3635 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 140V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/357 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-39 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음8,658
JANTXV2N3635L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 140V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/357 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음5,166
JANTXV2N3635UB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 140V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/357 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 3-SMD	재고 있음4,122
JANTXV2N3636 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 175V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/357 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 175V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-39 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음2,592
JANTXV2N3636L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 175V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/357 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 175V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음4,446
JANTXV2N3636UB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 175V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/357 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 175V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 3-SMD	재고 있음3,096
JANTXV2N3637 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 175V 1A TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/357 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 175V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음7,020
JANTXV2N3637L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 175V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/357 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 175V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음8,298
JANTXV2N3637UB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 175V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/357 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 175V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 3-SMD	재고 있음2,718
JANTXV2N3700 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/391 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)	재고 있음5,580
JANTXV2N3700UB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 1A UB 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/391 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 3-UB (2.9x2.2)	재고 있음5,148
JANTXV2N3715 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 10A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/408 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V 전력-최대: 5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음3,564
JANTXV2N3716 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 DIODE 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/408 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V 전력-최대: 5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음7,920
JANTXV2N3735 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1.5A TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/395 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음2,484
JANTXV2N3735L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1.5A TO5 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/395 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음3,852
JANTXV2N3737 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1.5A TO46 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/395 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-46-3	재고 있음7,110
JANTXV2N3737UB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1.5A UB 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/395 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,742
JANTXV2N3739 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 1A TO-66 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/402 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 25mA, 250mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 250mA, 10V 전력-최대: 20W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66	재고 있음4,428
JANTXV2N3740 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 4A TO-66 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/441 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V 전력-최대: 25W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)	재고 있음2,790
JANTXV2N3741 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 4A TO-66 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/441 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 1.25mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V 전력-최대: 3W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)	재고 있음8,622
JANTXV2N3741 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 4A TO-66 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/441 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V 전력-최대: 25W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)	재고 있음6,984
JANTXV2N3749 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 5A TO111 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/315 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 20µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Stud Mount 패키지 / 케이스: TO-111-4, Stud 공급자 장치 패키지: TO-111	재고 있음218
JANTXV2N3763 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 1.5A TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/396 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음2,988
JANTXV2N3764 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 1.5A TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/396 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 1.5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-46	재고 있음4,716
JANTXV2N3766 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 4A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/518 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V 전력-최대: 25W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66	재고 있음2,178
JANTXV2N3767 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 4A TO-66 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/518 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V 전력-최대: 25W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66	재고 있음3,042
JANTXV2N3767 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 4A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/518 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V 전력-최대: 25W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66	재고 있음7,938
JANTXV2N3791 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 10A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/379 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V 전력-최대: 5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음6,048
JANTXV2N3867 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 3A TO5 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/350 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음3,960

JANTXV2N3634L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 140V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/357
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음5,778

JANTXV2N3635

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 140V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/357
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-39
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음8,658

JANTXV2N3635L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 140V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/357
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음5,166

JANTXV2N3635UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 140V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/357
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 3-SMD

재고 있음4,122

JANTXV2N3636

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 175V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/357
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 175V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-39
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음2,592

JANTXV2N3636L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 175V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/357
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 175V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음4,446

JANTXV2N3636UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 175V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/357
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 175V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 3-SMD

재고 있음3,096

JANTXV2N3637

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 175V 1A TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/357
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 175V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음7,020

JANTXV2N3637L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 175V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/357
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 175V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음8,298

JANTXV2N3637UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 175V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/357
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 175V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 3-SMD

재고 있음2,718

JANTXV2N3700

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/391
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

재고 있음5,580

JANTXV2N3700UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 1A UB

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/391
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 3-UB (2.9x2.2)

재고 있음5,148

JANTXV2N3715

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 10A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/408
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V
전력-최대: 5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음3,564

JANTXV2N3716

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

DIODE

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/408
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V
전력-최대: 5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음7,920

JANTXV2N3735

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1.5A TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/395
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음2,484

JANTXV2N3735L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1.5A TO5

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/395
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음3,852

JANTXV2N3737

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1.5A TO46

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/395
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-46-3

재고 있음7,110

JANTXV2N3737UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1.5A UB

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/395
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,742

JANTXV2N3739

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 1A TO-66

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/402
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 25mA, 250mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 250mA, 10V
전력-최대: 20W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66

재고 있음4,428

JANTXV2N3740

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 4A TO-66

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/441
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V
전력-최대: 25W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)

재고 있음2,790

JANTXV2N3741

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 4A TO-66

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/441
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 1.25mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V
전력-최대: 3W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)

재고 있음8,622

JANTXV2N3741

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 4A TO-66

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/441
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V
전력-최대: 25W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)

재고 있음6,984

JANTXV2N3749

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 5A TO111

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/315
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 20µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Stud Mount
패키지 / 케이스: TO-111-4, Stud
공급자 장치 패키지: TO-111

재고 있음218

JANTXV2N3763

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 1.5A TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/396
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음2,988

JANTXV2N3764

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 1.5A TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/396
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 1.5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-46

재고 있음4,716

JANTXV2N3766

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 4A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/518
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V
전력-최대: 25W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66

재고 있음2,178

JANTXV2N3767

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 4A TO-66

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/518
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V
전력-최대: 25W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66

재고 있음3,042

JANTXV2N3767

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 4A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/518
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V
전력-최대: 25W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66

재고 있음7,938

JANTXV2N3791

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 10A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/379
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V
전력-최대: 5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음6,048

JANTXV2N3867

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 3A TO5

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/350
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음3,960

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