트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
JANTXV2N5416S Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 1A TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/485 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전력-최대: 750mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음5,040
JANTXV2N5416U4 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/485 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: U4	재고 있음5,706
JANTXV2N5416UA Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/485 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전력-최대: 750mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UA	재고 있음4,590
JANTXV2N5581 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.8A TO46 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/423 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-46 (TO-206AB)	재고 있음3,060
JANTXV2N5582 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.8A TO46 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/423 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-46-3	재고 있음8,010
JANTXV2N5662 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 200V 2A TO-5 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/454 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 200nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음237
JANTXV2N5663 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 2A TO-5 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/454 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 200nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음6,336
JANTXV2N5664 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 200V 5A TO66 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/455 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 5A, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 200nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V 전력-최대: 2.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)	재고 있음8,496
JANTXV2N5665 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 5A TO66 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/455 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 200nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V 전력-최대: 2.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)	재고 있음4,212
JANTXV2N5666 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 200V 5A TO5 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/455 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 5A, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 200nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음2,970
JANTXV2N5666S Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 200V 5A TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/455 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 5A, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 200nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음6,894
JANTXV2N5666U3 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 200V 5A U3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/455 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 200nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: U3	재고 있음4,626
JANTXV2N5667 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 5A TO5 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/455 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 200nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음5,418
JANTXV2N5667S Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 5A TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/455 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 200nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음239
JANTXV2N5672 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 120V 30A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/488 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 10mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 15A, 2V 전력-최대: 6W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음57
JANTXV2N5679 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,794
JANTXV2N5680 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 DIODE 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/582 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음8,406
JANTXV2N5680 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 120V 1A TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/582 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음8,982
JANTXV2N5681 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 1A TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/583 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음4,806
JANTXV2N5684 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 50A TO-204AA 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/466 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 5µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5A, 2V 전력-최대: 300W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)	재고 있음7,236
JANTXV2N5685 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 50A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/464 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V 전력-최대: 300W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음6,876
JANTXV2N5686 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 50A TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/464 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V 전력-최대: 300W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AE 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음8,172
JANTXV2N5745 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 20A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/433 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V 전력-최대: 5W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음116
JANTXV2N6051 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 12A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/501 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V 전력-최대: 150W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음8,910
JANTXV2N6052 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 12A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/501 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V 전력-최대: 150W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음3,924
JANTXV2N6058 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 12A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/502 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V 전력-최대: 150W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음7,200
JANTXV2N6059 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 12A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/502 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V 전력-최대: 150W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음5,634
JANTXV2N6193 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 5A TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/561 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음5,580
JANTXV2N6193U3 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 5A TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,822
JANTXV2N6249 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 DIODE 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/371 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 10A, 3V 전력-최대: 6W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음8,496

JANTXV2N5416S

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 1A TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/485
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전력-최대: 750mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음5,040

JANTXV2N5416U4

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/485
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: U4

재고 있음5,706

JANTXV2N5416UA

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/485
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전력-최대: 750mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UA

재고 있음4,590

JANTXV2N5581

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.8A TO46

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/423
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-46 (TO-206AB)

재고 있음3,060

JANTXV2N5582

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.8A TO46

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/423
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-46-3

재고 있음8,010

JANTXV2N5662

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 200V 2A TO-5

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/454
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 200nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음237

JANTXV2N5663

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 2A TO-5

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/454
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 200nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음6,336

JANTXV2N5664

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 200V 5A TO66

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/455
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 5A, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 200nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V
전력-최대: 2.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)

재고 있음8,496

JANTXV2N5665

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 5A TO66

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/455
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 200nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V
전력-최대: 2.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)

재고 있음4,212

JANTXV2N5666

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 200V 5A TO5

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/455
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 5A, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 200nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음2,970

JANTXV2N5666S

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 200V 5A TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/455
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 5A, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 200nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음6,894

JANTXV2N5666U3

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 200V 5A U3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/455
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 200nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: U3

재고 있음4,626

JANTXV2N5667

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 5A TO5

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/455
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 200nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음5,418

JANTXV2N5667S

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 5A TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/455
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 200nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음239

JANTXV2N5672

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 120V 30A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/488
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 10mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 15A, 2V
전력-최대: 6W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음57

JANTXV2N5679

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,794

JANTXV2N5680

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

DIODE

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/582
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음8,406

JANTXV2N5680

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 120V 1A TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/582
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음8,982

JANTXV2N5681

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 1A TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/583
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음4,806

JANTXV2N5684

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 50A TO-204AA

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/466
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 5µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5A, 2V
전력-최대: 300W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)

재고 있음7,236

JANTXV2N5685

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 50A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/464
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V
전력-최대: 300W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음6,876

JANTXV2N5686

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 50A TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/464
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V
전력-최대: 300W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AE
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음8,172

JANTXV2N5745

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 20A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/433
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V
전력-최대: 5W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음116

JANTXV2N6051

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 12A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/501
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V
전력-최대: 150W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음8,910

JANTXV2N6052

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 12A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/501
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V
전력-최대: 150W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음3,924

JANTXV2N6058

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 12A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/502
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V
전력-최대: 150W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음7,200

JANTXV2N6059

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 12A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/502
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V
전력-최대: 150W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음5,634

JANTXV2N6193

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 5A TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/561
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음5,580

JANTXV2N6193U3

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 5A TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,822

JANTXV2N6249

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

DIODE

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/371
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 10A, 3V
전력-최대: 6W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음8,496

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