트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
JANTXV2N6249 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 200V 10A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 10A, 3V 전력-최대: 6W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음2,034
JANTXV2N6249T1 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 200V 10A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 10A, 3V 전력-최대: 6W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) 공급자 장치 패키지: TO-254AA	재고 있음5,166
JANTXV2N6250 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 275V 10A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 275V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 10A, 3V 전력-최대: 6W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음4,788
JANTXV2N6250T1 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 275V 10A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 275V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 10A, 3V 전력-최대: 6W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) 공급자 장치 패키지: TO-254AA	재고 있음2,322
JANTXV2N6251T1 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 350V 10A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.67A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6 @ 10A, 3V 전력-최대: 6W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) 공급자 장치 패키지: TO-254AA	재고 있음2,412
JANTXV2N6283 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 20A TO3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/504 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1250 @ 10A, 3V 전력-최대: 175W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)	재고 있음4,248
JANTXV2N6284 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,652
JANTXV2N6286 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 20A TO3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/505 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1250 @ 10A, 3V 전력-최대: 175W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)	재고 있음4,788
JANTXV2N6287 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 DIODE 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/505 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 40mA, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V 전력-최대: 175W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음8,784
JANTXV2N6298 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 60V 8A TO66 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/540 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 80mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V 전력-최대: 64W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)	재고 있음3,924
JANTXV2N6300 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 60V 8A TO66 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/539 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V 전력-최대: 75W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)	재고 있음7,938
JANTXV2N6301 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 8A TO-66 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/539 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V 전력-최대: 75W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66	재고 있음8,802
JANTXV2N6306 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 250V 8A TO3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/498 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 5V 전력-최대: 125W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)	재고 있음4,680
JANTXV2N6308 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 350V 8A TO3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/498 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 2.67A, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 12 @ 3A, 5V 전력-최대: 125W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)	재고 있음4,446
JANTXV2N6350 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 5A TO33 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/472 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 5A, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AC, TO-33-4 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-33	재고 있음6,804
JANTXV2N6351 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 150V 5A TO-33 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/472 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 10mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AC, TO-33-4 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-33	재고 있음3,564
JANTXV2N6352 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 5A TO-33 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/472 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 5A, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)	재고 있음4,266
JANTXV2N6353 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 150V 5A TO-33 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/472 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 10mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)	재고 있음5,256
JANTXV2N6383 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 40V 10A TO3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/523 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V 전력-최대: 6W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)	재고 있음7,902
JANTXV2N6384 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 60V 10A TO3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/523 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V 전력-최대: 6W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)	재고 있음3,744
JANTXV2N6385 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 10A TO3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/523 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V 전력-최대: 6W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)	재고 있음827
JANTXV2N6437 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 25A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,034
JANTXV2N6546 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 15A TO3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/525 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 12 @ 5A, 2V 전력-최대: 175W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)	재고 있음202
JANTXV2N6547 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 15A TO3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/525 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 12 @ 5A, 2V 전력-최대: 175W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)	재고 있음6,966
JANTXV2N6674 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,418
JANTXV2N6675 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,030
JANTXV2N6676 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,852
JANTXV2N6676T1 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 15A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,960
JANTXV2N6678 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 DIODE 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/538 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 3A, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 3V 전력-최대: 6W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음888
JANTXV2N7369 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 10A TO254 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/621 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V 전력-최대: 115W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) 공급자 장치 패키지: TO-254AA	재고 있음7,668

JANTXV2N6249

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 200V 10A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 10A, 3V
전력-최대: 6W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음2,034

JANTXV2N6249T1

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 200V 10A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 10A, 3V
전력-최대: 6W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
공급자 장치 패키지: TO-254AA

재고 있음5,166

JANTXV2N6250

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 275V 10A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 275V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 10A, 3V
전력-최대: 6W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음4,788

JANTXV2N6250T1

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 275V 10A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 275V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 10A, 3V
전력-최대: 6W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
공급자 장치 패키지: TO-254AA

재고 있음2,322

JANTXV2N6251T1

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 350V 10A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.67A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6 @ 10A, 3V
전력-최대: 6W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
공급자 장치 패키지: TO-254AA

재고 있음2,412

JANTXV2N6283

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 20A TO3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/504
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1250 @ 10A, 3V
전력-최대: 175W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)

재고 있음4,248

JANTXV2N6284

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,652

JANTXV2N6286

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 20A TO3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/505
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1250 @ 10A, 3V
전력-최대: 175W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)

재고 있음4,788

JANTXV2N6287

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

DIODE

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/505
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 40mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V
전력-최대: 175W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음8,784

JANTXV2N6298

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 60V 8A TO66

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/540
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
전력-최대: 64W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)

재고 있음3,924

JANTXV2N6300

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 60V 8A TO66

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/539
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
전력-최대: 75W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)

재고 있음7,938

JANTXV2N6301

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 8A TO-66

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/539
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
전력-최대: 75W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66

재고 있음8,802

JANTXV2N6306

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 250V 8A TO3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/498
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 5V
전력-최대: 125W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)

재고 있음4,680

JANTXV2N6308

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 350V 8A TO3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/498
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 2.67A, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 12 @ 3A, 5V
전력-최대: 125W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)

재고 있음4,446

JANTXV2N6350

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 5A TO33

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/472
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 5A, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AC, TO-33-4 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-33

재고 있음6,804

JANTXV2N6351

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 150V 5A TO-33

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/472
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 10mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AC, TO-33-4 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-33

재고 있음3,564

JANTXV2N6352

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 5A TO-33

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/472
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 5A, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)

재고 있음4,266

JANTXV2N6353

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 150V 5A TO-33

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/472
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 10mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)

재고 있음5,256

JANTXV2N6383

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 40V 10A TO3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/523
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
전력-최대: 6W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)

재고 있음7,902

JANTXV2N6384

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 60V 10A TO3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/523
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
전력-최대: 6W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)

재고 있음3,744

JANTXV2N6385

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 10A TO3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/523
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
전력-최대: 6W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)

재고 있음827

JANTXV2N6437

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 25A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,034

JANTXV2N6546

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 15A TO3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/525
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 12 @ 5A, 2V
전력-최대: 175W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)

재고 있음202

JANTXV2N6547

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 15A TO3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/525
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 12 @ 5A, 2V
전력-최대: 175W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)

재고 있음6,966

JANTXV2N6674

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,418

JANTXV2N6675

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,030

JANTXV2N6676

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,852

JANTXV2N6676T1

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 15A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,960

JANTXV2N6678

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

DIODE

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/538
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 3A, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 3V
전력-최대: 6W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음888

JANTXV2N7369

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 10A TO254

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/621
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V
전력-최대: 115W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
공급자 장치 패키지: TO-254AA

재고 있음7,668

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