트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
PBSS8110T,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 1A SOT23 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V 전력-최대: 480mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음1,057,062
PBSS8110TVL Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PBSS8110T/SOT23/TO-236AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 1V 전력-최대: - 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음3,474
PBSS8110X,135 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 1A SOT89 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음1,132,914
PBSS8110Y,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 1A 6TSSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음6,336
PBSS8110Z,135 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 1A SOT223 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V 전력-최대: 1.4W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SC-73	재고 있음97,914
PBSS8510PA,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 5.2A SOT1061 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5.2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 340mV @ 260mA, 5.2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 95 @ 2A, 2V 전력-최대: 2.1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-PowerUDFN 공급자 장치 패키지: 3-HUSON (2x2)	재고 있음27,558
PBSS9110AS,126 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 1A TO92 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V 전력-최대: 830mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,470
PBSS9110D,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 1A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V 전력-최대: 700mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음26,526
PBSS9110S,126 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 1A TO92 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V 전력-최대: 830mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,460
PBSS9110T,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 1A SOT23 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V 전력-최대: 480mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음27,174
PBSS9110X,135 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 1A SOT89 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음165,882
PBSS9110Y,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 1A 6TSSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음5,400
PBSS9110Z,135 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 1A SOT223 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1.4W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SC-73	재고 있음102,000
PBSS9410PA,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 2.7A SOT1061 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 135mA, 2.7A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 170 @ 1A, 2V 전력-최대: 2.1W 주파수-전환: 115MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-PowerUDFN 공급자 장치 패키지: 3-HUSON (2x2)	재고 있음5,814
PCF6030L MICROSS/On Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 DIE TRANS N-CH 30V LOGIC POWER 제조업체: MICROSS/On Semiconductor 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,948
PCP1103-P-TD-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 1.5A PCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 375mV @ 15mA, 750mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.3W 주파수-전환: 450MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PCP	재고 있음7,560
PCP1103-TD-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 1.5A PCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 375mV @ 15mA, 750mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.3W 주파수-전환: 450MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PCP	재고 있음20,988
PCP1203-P-TD-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 1.5A PCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 225mV @ 15mA, 750mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.3W 주파수-전환: 500MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PCP	재고 있음8,532
PCP1203-TD-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 1.5A PCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 225mV @ 15mA, 750mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.3W 주파수-전환: 500MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PCP	재고 있음21,468
PCP1208-TD-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 200V 700MA PCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 35mA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1.3W 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PCP	재고 있음27,834
PDTA143EMB,315 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.1A 3DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V 전력-최대: 250mW 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-XFDFN 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3	재고 있음5,004
PH2369,112 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 15V 0.2A SOT54 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 400nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 500MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,946
PH2369,116 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 15V 0.2A SOT54 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 400nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 500MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,934
PH2369,126 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 15V 0.2A SOT54 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 400nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 500MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,934
PHD13003C,126 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V 전력-최대: 2.1W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,726
PHD13003C,412 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V 전력-최대: 2.1W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음95,178
PHD13005,127 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 4A TO220AB 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V 전력-최대: 75W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음24,738
PHD13005AD,127 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 700V 4A DPAK 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음6,642
PHE13003A,126 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 1A SOT54 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V 전력-최대: 2.1W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,794
PHE13003A,412 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 1A SOT54 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V 전력-최대: 2.1W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,262

PBSS8110T,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 1A SOT23

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V
전력-최대: 480mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음1,057,062

PBSS8110TVL

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PBSS8110T/SOT23/TO-236AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 1V
전력-최대: -
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음3,474

PBSS8110X,135

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 1A SOT89

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음1,132,914

PBSS8110Y,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 1A 6TSSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음6,336

PBSS8110Z,135

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 1A SOT223

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V
전력-최대: 1.4W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SC-73

재고 있음97,914

PBSS8510PA,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 5.2A SOT1061

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5.2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 340mV @ 260mA, 5.2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 95 @ 2A, 2V
전력-최대: 2.1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-PowerUDFN
공급자 장치 패키지: 3-HUSON (2x2)

재고 있음27,558

PBSS9110AS,126

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 1A TO92

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
전력-최대: 830mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,470

PBSS9110D,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 1A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
전력-최대: 700mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음26,526

PBSS9110S,126

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 1A TO92

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
전력-최대: 830mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,460

PBSS9110T,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 1A SOT23

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
전력-최대: 480mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음27,174

PBSS9110X,135

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 1A SOT89

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음165,882

PBSS9110Y,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 1A 6TSSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음5,400

PBSS9110Z,135

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 1A SOT223

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1.4W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SC-73

재고 있음102,000

PBSS9410PA,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 2.7A SOT1061

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 135mA, 2.7A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 170 @ 1A, 2V
전력-최대: 2.1W
주파수-전환: 115MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-PowerUDFN
공급자 장치 패키지: 3-HUSON (2x2)

재고 있음5,814

PCF6030L

MICROSS/On Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

DIE TRANS N-CH 30V LOGIC POWER

제조업체: MICROSS/On Semiconductor
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,948

PCP1103-P-TD-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 1.5A PCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 375mV @ 15mA, 750mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.3W
주파수-전환: 450MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PCP

재고 있음7,560

PCP1103-TD-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 1.5A PCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 375mV @ 15mA, 750mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.3W
주파수-전환: 450MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PCP

재고 있음20,988

PCP1203-P-TD-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 1.5A PCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 225mV @ 15mA, 750mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.3W
주파수-전환: 500MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PCP

재고 있음8,532

PCP1203-TD-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 1.5A PCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 225mV @ 15mA, 750mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.3W
주파수-전환: 500MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PCP

재고 있음21,468

PCP1208-TD-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 200V 700MA PCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 35mA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1.3W
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PCP

재고 있음27,834

PDTA143EMB,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.1A 3DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
전력-최대: 250mW
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-XFDFN
공급자 장치 패키지: DFN1006B-3

재고 있음5,004

PH2369,112

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V 0.2A SOT54

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 400nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 500MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,946

PH2369,116

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V 0.2A SOT54

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 400nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 500MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,934

PH2369,126

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V 0.2A SOT54

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 400nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 500MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,934

PHD13003C,126

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 1.5A SOT54

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
전력-최대: 2.1W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,726

PHD13003C,412

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 1.5A SOT54

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
전력-최대: 2.1W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음95,178

PHD13005,127

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 4A TO220AB

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
전력-최대: 75W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음24,738

PHD13005AD,127

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 700V 4A DPAK

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음6,642

PHE13003A,126

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 1A SOT54

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V
전력-최대: 2.1W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,794

PHE13003A,412

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 1A SOT54

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V
전력-최대: 2.1W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,262

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