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트랜지스터

기록 64,903
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
RXT2222AT100
RXT2222AT100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN MPT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
  • 전력-최대: 500mW
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: MPT3
재고 있음4,554
RXT2907AT100
RXT2907AT100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN MPT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
  • 전력-최대: 500mW
  • 주파수-전환: 200MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: MPT3
재고 있음5,688
S1JVNJD2873T4G
S1JVNJD2873T4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR PNP BIPO

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
  • 전력-최대: 1.68W
  • 주파수-전환: 65MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
재고 있음6,714
S2000AF
S2000AF

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 700V 8A ISOWATT218FX

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 1A, 4.5A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 200µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 4.5 @ 4.5A, 5V
  • 전력-최대: 50W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: ISOWATT218FX
  • 공급자 장치 패키지: ISOWATT-218FX
재고 있음4,086
S2SA1774G
S2SA1774G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.1A SC75-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500pA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
  • 전력-최대: 150mW
  • 주파수-전환: 140MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
  • 공급자 장치 패키지: SC-75, SOT-416
재고 있음29,478
S2SC4617G
S2SC4617G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.1A SC75-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
  • 전력-최대: 125mW
  • 주파수-전환: 180MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
  • 공급자 장치 패키지: SC-75, SOT-416
재고 있음29,796
S8050-B-AP
S8050-B-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

DIODE

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 50mA, 1V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92
재고 있음7,956
S8550-B-AP
S8550-B-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

DIODE

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 200nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 50mA, 1V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92
재고 있음8,694
S9014-B-AP
S9014-B-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

DIODE

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • 전력-최대: 400mW
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92
재고 있음5,544
S9014-D-AP
S9014-D-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

DIODE

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 5V
  • 전력-최대: 400mW
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92
재고 있음7,488
S9015-B-AP
S9015-B-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

DIODE

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • 전력-최대: 450mW
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92
재고 있음7,596
S9015-D-AP
S9015-D-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

DIODE

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 5V
  • 전력-최대: 450mW
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92
재고 있음6,714
S9018-G-AP
S9018-G-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

DIODE

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 5V
  • 전력-최대: 310mW
  • 주파수-전환: 600MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92
재고 있음5,940
S9018-I-AP
S9018-I-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

DIODE

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 130 @ 1mA, 5V
  • 전력-최대: 310mW
  • 주파수-전환: 600MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92
재고 있음3,096
SBC807-16LT1G
SBC807-16LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 300mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
재고 있음167,226
SBC807-16LT3G
SBC807-16LT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 300mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
재고 있음5,238
SBC807-25LT1G
SBC807-25LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 300mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
재고 있음25,650
SBC807-25LT3G
SBC807-25LT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 300mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
재고 있음5,742
SBC807-25WT1G
SBC807-25WT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.5A SC-70

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 460mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23
재고 있음67,944
SBC807-40LT1G
SBC807-40LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 300mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
재고 있음273,996
SBC807-40LT3G
SBC807-40LT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 300mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
재고 있음265,080
SBC807-40WT1G
SBC807-40WT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.5A SC-70

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 460mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음96,726
SBC808-25LT1G
SBC808-25LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 0.5A SOT-23

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 300mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
재고 있음6,786
SBC817-16LT3G
SBC817-16LT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 300mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
재고 있음103,734
SBC817-25LT1G
SBC817-25LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 300mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
재고 있음114,329
SBC817-25LT3G
SBC817-25LT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 300mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
재고 있음6,714
SBC817-40LT1G
SBC817-40LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 300mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음1,840,452
SBC817-40LT3G
SBC817-40LT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 300mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음228,996
SBC846ALT1G
SBC846ALT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 65V 0.1A SOT-23

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
  • 전력-최대: 300mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
재고 있음88,860
SBC846BLT1G
SBC846BLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 65V 0.1A SOT-23

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
  • 전력-최대: 300mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
재고 있음306,570