트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SBCX19LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.5A SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음71,856
SBF720T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.1A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261)	재고 있음26,346
SBSP52T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261)	재고 있음3,366
SDBN500B01-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 500MQ SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN + Diode (Isolated) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 20mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 1V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음2,214
SE9300 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN BIPOLAR TO220 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 7.5A, 3V 전력-최대: 70W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음6,714
SE9301 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN BIPOLAR TO220 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 7.5A, 3V 전력-최대: 70W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음7,236
SE9302 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN BIPOLAR TO220 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 7.5A, 3V 전력-최대: 70W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음5,238
SE9400 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP BIPOLAR TO220 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 7.5A, 3V 전력-최대: 70W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음4,338
SE9401 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP BIPOLAR TO220 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 7.5A, 3V 전력-최대: 70W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음7,038
SE9402 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP BIPOLAR TO220 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 7.5A, 3V 전력-최대: 70W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음3,240
SFT1202-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 2A TP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 공급자 장치 패키지: TP	재고 있음20,988
SFT1202-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 2A TP-FA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: 2-TP-FA	재고 있음18,096
SGSD100 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 25A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 80mA, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 10A, 3V 전력-최대: 130W 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음3,580
SGSD200 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 25A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 80mA, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 10A, 3V 전력-최대: 130W 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음3,600
SJD112T4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,600
SJD127T4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,336
SJD127T4G-VF01 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,604
SJD32CT4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 3A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,550
SJD32CT4G-VF01 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 3A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,506
SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 330mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음596,700
SMBT2907AE6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 330mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음103,326
SMBT35200MT1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 35V 2A 6TSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음8,568
SMBT 3904 B5003 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 330mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음8,694
SMBT3904E6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 330mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음299,748
SMBT3904E6433HTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 0.2A SOT23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 330mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음6,498
SMBT 3906 B5003 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 330mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음7,866
SMBT3906E6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 330mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음336,804
SMBT 3906 E6767 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 330mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,598
SMBTA06E6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V 전력-최대: 330mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,258
SMBTA06E6433HTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V 전력-최대: 330mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음6,696

SBCX19LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.5A SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음71,856

SBF720T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.1A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261)

재고 있음26,346

SBSP52T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261)

재고 있음3,366

SDBN500B01-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 500MQ SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN + Diode (Isolated)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 20mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 1V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음2,214

SE9300

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN BIPOLAR TO220

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 7.5A, 3V
전력-최대: 70W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음6,714

SE9301

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN BIPOLAR TO220

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 7.5A, 3V
전력-최대: 70W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음7,236

SE9302

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN BIPOLAR TO220

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 7.5A, 3V
전력-최대: 70W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음5,238

SE9400

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP BIPOLAR TO220

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 7.5A, 3V
전력-최대: 70W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음4,338

SE9401

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP BIPOLAR TO220

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 7.5A, 3V
전력-최대: 70W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음7,038

SE9402

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP BIPOLAR TO220

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 7.5A, 3V
전력-최대: 70W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음3,240

SFT1202-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 2A TP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
공급자 장치 패키지: TP

재고 있음20,988

SFT1202-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 2A TP-FA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: 2-TP-FA

재고 있음18,096

SGSD100

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 25A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 80mA, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 10A, 3V
전력-최대: 130W
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음3,580

SGSD200

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 25A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 80mA, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 10A, 3V
전력-최대: 130W
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음3,600

SJD112T4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,600

SJD127T4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,336

SJD127T4G-VF01

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,604

SJD32CT4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 3A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,550

SJD32CT4G-VF01

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 3A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,506

SMBT2222AE6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 330mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음596,700

SMBT2907AE6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 330mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음103,326

SMBT35200MT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 35V 2A 6TSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음8,568

SMBT 3904 B5003

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 330mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음8,694

SMBT3904E6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 330mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음299,748

SMBT3904E6433HTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 0.2A SOT23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 330mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음6,498

SMBT 3906 B5003

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 330mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음7,866

SMBT3906E6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 330mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음336,804

SMBT 3906 E6767

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 330mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,598

SMBTA06E6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
전력-최대: 330mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,258

SMBTA06E6433HTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
전력-최대: 330mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

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