트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
TIP147T ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 10A TO220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음18,732
TIP147T STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 10A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V 전력-최대: 90W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음28,896
TIP147TTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 10A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음12,360
TIP147TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 10A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3PN	재고 있음7,884
TIP152-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 400V 7A TO220 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 250mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 7A, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음2,880
TIP29 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V 전력-최대: 30W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음4,968
TIP29 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음17,088
TIP2955 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS GENERAL PURPOSE TO-218 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V 전력-최대: 90W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: TO-218	재고 있음5,706
TIP2955 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 15A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 700µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V 전력-최대: 90W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음18,864
TIP2955G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 15A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 700µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V 전력-최대: 90W 주파수-전환: 2.5MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음17,430
TIP2955-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 15A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 700µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V 전력-최대: 3.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: SOT-93	재고 있음8,820
TIP29A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 1A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음8,100
TIP29A Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V 전력-최대: 30W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,120
TIP29A STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 1A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음3,654
TIP29A-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 1A TO-220 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 30W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음4,032
TIP29AG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 1A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음9,024
TIP29A-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 1A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음3,222
TIP29A SL Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V 전력-최대: 30W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음3,438
TIP29ATU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 1A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음5,724
TIP29B ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 1A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음6,390
TIP29B Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V 전력-최대: 30W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,228
TIP29B-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 1A TO-220 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 30W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음8,736
TIP29BG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 1A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음16,212
TIP29-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1A TO-220 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 30W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음23,274
TIP29B-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 1A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음5,634
TIP29C ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 1A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음5,922
TIP29C Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V 전력-최대: 30W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음5,634
TIP29C STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 1A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음4,914
TIP29C-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 1A TO-220 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 30W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음3,384
TIP29CG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 1A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음56,724

TIP147T

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 10A TO220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음18,732

TIP147T

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 10A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
전력-최대: 90W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음28,896

TIP147TTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 10A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음12,360

TIP147TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 10A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3PN

재고 있음7,884

TIP152-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 400V 7A TO220

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 250mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 7A, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음2,880

TIP29

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V
전력-최대: 30W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음4,968

TIP29

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음17,088

TIP2955

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS GENERAL PURPOSE TO-218

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
전력-최대: 90W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: TO-218

재고 있음5,706

TIP2955

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 15A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 700µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
전력-최대: 90W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음18,864

TIP2955G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 15A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 700µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
전력-최대: 90W
주파수-전환: 2.5MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음17,430

TIP2955-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 15A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 700µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
전력-최대: 3.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: SOT-93

재고 있음8,820

TIP29A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 1A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음8,100

TIP29A

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V
전력-최대: 30W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,120

TIP29A

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 1A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음3,654

TIP29A-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 1A TO-220

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 30W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음4,032

TIP29AG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 1A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음9,024

TIP29A-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 1A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음3,222

TIP29A SL

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V
전력-최대: 30W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음3,438

TIP29ATU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 1A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음5,724

TIP29B

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 1A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음6,390

TIP29B

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V
전력-최대: 30W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,228

TIP29B-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 1A TO-220

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 30W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음8,736

TIP29BG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 1A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음16,212

TIP29-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1A TO-220

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 30W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음23,274

TIP29B-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 1A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음5,634

TIP29C

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 1A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음5,922

TIP29C

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V
전력-최대: 30W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음5,634

TIP29C

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 1A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음4,914

TIP29C-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 1A TO-220

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 30W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음3,384

TIP29CG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 1A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음56,724

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