트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
TIP29C-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 1A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음8,676
TIP29CTSTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 1A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음2,592
TIP29CTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 1A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,534
TIP29D-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 120V 1A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음4,266
TIP29E-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 1A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음3,852
TIP29F-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 160V 1A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음5,274
TIP30 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 1A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음8,676
TIP30 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V 전력-최대: 30W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,624
TIP3055 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS GENERAL PURPOSE TO-218 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V 전력-최대: 90W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: TO-218	재고 있음4,734
TIP3055 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 15A TO218AC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 700µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V 전력-최대: 90W 주파수-전환: 2.5MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: SOT-93	재고 있음6,660
TIP3055 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 15A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 700µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V 전력-최대: 90W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음23,598
TIP3055G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 15A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 700µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V 전력-최대: 90W 주파수-전환: 2.5MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음16,128
TIP3055-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 15A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 700µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V 전력-최대: 3.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: SOT-93	재고 있음2,592
TIP30A STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 1A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음3,490
TIP30A Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V 전력-최대: 30W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,534
TIP30ATU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 1A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음3,366
TIP30B Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V 전력-최대: 30W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음2,682
TIP30B-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 1A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음5,688
TIP30C ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 1A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음4,266
TIP30C STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 1A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음6,840
TIP30C Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V 전력-최대: 30W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음8,892
TIP30CG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 1A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음22,080
TIP30C-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 1A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음7,596
TIP30CTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 1A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음14,142
TIP30G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 1A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음3,654
TIP30-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 1A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음8,820
TIP31 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 3A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음6,912
TIP31 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,912
TIP31A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,714
TIP31A Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음3,562

TIP29C-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 1A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음8,676

TIP29CTSTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 1A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음2,592

TIP29CTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 1A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,534

TIP29D-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 120V 1A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음4,266

TIP29E-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 1A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음3,852

TIP29F-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 160V 1A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음5,274

TIP30

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 1A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음8,676

TIP30

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V
전력-최대: 30W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,624

TIP3055

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS GENERAL PURPOSE TO-218

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
전력-최대: 90W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: TO-218

재고 있음4,734

TIP3055

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 15A TO218AC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 700µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
전력-최대: 90W
주파수-전환: 2.5MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: SOT-93

재고 있음6,660

TIP3055

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 15A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 700µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
전력-최대: 90W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음23,598

TIP3055G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 15A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 700µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
전력-최대: 90W
주파수-전환: 2.5MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음16,128

TIP3055-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 15A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 700µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
전력-최대: 3.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: SOT-93

재고 있음2,592

TIP30A

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 1A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음3,490

TIP30A

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V
전력-최대: 30W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,534

TIP30ATU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 1A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음3,366

TIP30B

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V
전력-최대: 30W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음2,682

TIP30B-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 1A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음5,688

TIP30C

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 1A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음4,266

TIP30C

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 1A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음6,840

TIP30C

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V
전력-최대: 30W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음8,892

TIP30CG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 1A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음22,080

TIP30C-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 1A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음7,596

TIP30CTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 1A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음14,142

TIP30G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 1A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음3,654

TIP30-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 1A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음8,820

TIP31

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 3A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음6,912

TIP31

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,912

TIP31A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,714

TIP31A

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음3,562

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message