트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
ZXT14P12DXTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP LO SAT -12V -6A 8-MSOP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 115mV @ 300mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-MSOP	재고 있음7,524
ZXT14P40DXTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP LO SAT -40V -4A 8-MSOP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 160mV @ 200mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 185MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-MSOP	재고 있음7,956
ZXT1M322TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 12V 4A 2X2MM 3-MLP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 150mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 25nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2.5A, 2V 전력-최대: 3W 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-MLP/DFN (2x2)	재고 있음8,442
ZXT2M322TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 20V 3.5A 2X2MM 3-MLP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A 전류-수집기 차단 (최대): 25nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V 전력-최대: 3W 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-MLP/DFN (2x2)	재고 있음3,060
ZXT3M322TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 3A 3-MLP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 370mV @ 250mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 25nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 1.5A, 2V 전력-최대: 3W 주파수-전환: 190MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-MLP/DFN (2x2)	재고 있음3,510
ZXT4M322TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 70V 2.5A 3-MLP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 260mV @ 200mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 25nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 5V 전력-최대: 3W 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-MLP/DFN (2x2)	재고 있음8,946
ZXT690BKTC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 3A D-PAK 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 20nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V 전력-최대: 3.9W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: TO-252-3	재고 있음276,036
ZXT790AKTC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 3A D-PAK 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 20nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V 전력-최대: 3.9W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: TO-252-3	재고 있음341,154
ZXT849KTC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 7A D-PAK 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 280mV @ 350mA, 7A 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V 전력-최대: 4.2W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: TO-252-3	재고 있음25,746
ZXT951KQTC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PWR LOW SAT TRANSISTOR TO252 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 600mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V 전력-최대: 2.1W 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)	재고 있음5,238
ZXT951KTC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 6A D-PAK 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 600mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V 전력-최대: 4.2W 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: TO-252-3	재고 있음61,494
ZXT953KTC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 5A D-PAK 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 390mV @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V 전력-최대: 4.2W 주파수-전환: 125MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: TO-252-3	재고 있음8,190
ZXTAM322TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 15V 4.5A 2X2MM 3-MLP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 4.5A 전류-수집기 차단 (최대): 25nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V 전력-최대: 3W 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-MLP/DFN (2x2)	재고 있음2,232
ZXTBM322TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 4.5A 2X2MM 3-MLP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A 전류-수집기 차단 (최대): 25nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V 전력-최대: 3W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-MLP/DFN (2x2)	재고 있음5,832
ZXTCM322TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 4A 3MLP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 25nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V 전력-최대: 3W 주파수-전환: 165MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-MLP/DFN (2x2)	재고 있음8,622
ZXTEM322TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 3.5A 3-MLP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A 전류-수집기 차단 (최대): 25nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V 전력-최대: 3W 주파수-전환: 160MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-MLP/DFN (2x2)	재고 있음3,400
ZXTN04120HFFTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 120V 1A SOT23F-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads 공급자 장치 패키지: SOT-23F	재고 있음297,804
ZXTN04120HKTC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 120V 1.5A TO252 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)	재고 있음5,562
ZXTN04120HP5TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 120V 1.5A PWRDI5 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V 전력-최대: 3.2W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerDI™ 5 공급자 장치 패키지: PowerDI™ 5	재고 있음6,948
ZXTN07012EFFTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 12V 4.5A SOT23F-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 45mA, 4.5A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 220MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads 공급자 장치 패키지: SOT-23F	재고 있음5,112
ZXTN07045EFFTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 4A SOT23F-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 280mV @ 80mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 190MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads 공급자 장치 패키지: SOT-23F	재고 있음174,480
ZXTN08400BFFTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 0.5A SOT23F-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 175mV @ 100mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads 공급자 장치 패키지: SOT-23F	재고 있음4,050
ZXTN10150DZTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 1A 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 250mV 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 135MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음7,128
ZXTN19020CFFTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 7A SOT23F-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 175mV @ 280mA, 7A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads 공급자 장치 패키지: SOT-23F	재고 있음3,132
ZXTN19020DFFTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 6.5A SOT23F-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 190mV @ 180mA, 6.5A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 160MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads 공급자 장치 패키지: SOT-23F	재고 있음4,428
ZXTN19020DGTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 9A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 9A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 450mA, 9A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V 전력-최대: 3W 주파수-전환: 160MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음20,856
ZXTN19020DZQTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,544
ZXTN19020DZTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 7.5A SOT89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 375mA, 7.5A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V 전력-최대: 2.4W 주파수-전환: 160MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음3,618
ZXTN19055DZTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 55V 6A SOT89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V 전력-최대: 2.1W 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음8,226
ZXTN19060CFFTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 5.5A SOT23F-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 175mV @ 550mA, 5.5A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads 공급자 장치 패키지: SOT-23F	재고 있음44,442

ZXT14P12DXTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP LO SAT -12V -6A 8-MSOP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 115mV @ 300mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-MSOP

재고 있음7,524

ZXT14P40DXTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP LO SAT -40V -4A 8-MSOP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 160mV @ 200mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 185MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-MSOP

재고 있음7,956

ZXT1M322TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 12V 4A 2X2MM 3-MLP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 150mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 25nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2.5A, 2V
전력-최대: 3W
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-MLP/DFN (2x2)

재고 있음8,442

ZXT2M322TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 20V 3.5A 2X2MM 3-MLP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대): 25nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
전력-최대: 3W
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-MLP/DFN (2x2)

재고 있음3,060

ZXT3M322TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 3A 3-MLP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 370mV @ 250mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 25nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 1.5A, 2V
전력-최대: 3W
주파수-전환: 190MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-MLP/DFN (2x2)

재고 있음3,510

ZXT4M322TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 70V 2.5A 3-MLP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 260mV @ 200mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 25nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 5V
전력-최대: 3W
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-MLP/DFN (2x2)

재고 있음8,946

ZXT690BKTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 3A D-PAK

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 20nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
전력-최대: 3.9W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: TO-252-3

재고 있음276,036

ZXT790AKTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 3A D-PAK

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 20nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
전력-최대: 3.9W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: TO-252-3

재고 있음341,154

ZXT849KTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 7A D-PAK

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 280mV @ 350mA, 7A
전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
전력-최대: 4.2W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: TO-252-3

재고 있음25,746

ZXT951KQTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PWR LOW SAT TRANSISTOR TO252

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 600mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
전력-최대: 2.1W
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)

재고 있음5,238

ZXT951KTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 6A D-PAK

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 600mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
전력-최대: 4.2W
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: TO-252-3

재고 있음61,494

ZXT953KTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 5A D-PAK

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 390mV @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
전력-최대: 4.2W
주파수-전환: 125MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: TO-252-3

재고 있음8,190

ZXTAM322TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V 4.5A 2X2MM 3-MLP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 4.5A
전류-수집기 차단 (최대): 25nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V
전력-최대: 3W
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-MLP/DFN (2x2)

재고 있음2,232

ZXTBM322TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 4.5A 2X2MM 3-MLP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A
전류-수집기 차단 (최대): 25nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
전력-최대: 3W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-MLP/DFN (2x2)

재고 있음5,832

ZXTCM322TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 4A 3MLP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 25nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
전력-최대: 3W
주파수-전환: 165MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-MLP/DFN (2x2)

재고 있음8,622

ZXTEM322TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 3.5A 3-MLP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대): 25nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
전력-최대: 3W
주파수-전환: 160MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-MLP/DFN (2x2)

재고 있음3,400

ZXTN04120HFFTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 120V 1A SOT23F-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads
공급자 장치 패키지: SOT-23F

재고 있음297,804

ZXTN04120HKTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 120V 1.5A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)

재고 있음5,562

ZXTN04120HP5TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 120V 1.5A PWRDI5

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V
전력-최대: 3.2W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerDI™ 5
공급자 장치 패키지: PowerDI™ 5

재고 있음6,948

ZXTN07012EFFTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 12V 4.5A SOT23F-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 45mA, 4.5A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 220MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads
공급자 장치 패키지: SOT-23F

재고 있음5,112

ZXTN07045EFFTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 4A SOT23F-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 280mV @ 80mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 190MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads
공급자 장치 패키지: SOT-23F

재고 있음174,480

ZXTN08400BFFTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 0.5A SOT23F-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 175mV @ 100mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads
공급자 장치 패키지: SOT-23F

재고 있음4,050

ZXTN10150DZTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 1A

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 250mV
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 135MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음7,128

ZXTN19020CFFTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 7A SOT23F-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 175mV @ 280mA, 7A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads
공급자 장치 패키지: SOT-23F

재고 있음3,132

ZXTN19020DFFTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 6.5A SOT23F-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 190mV @ 180mA, 6.5A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 160MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads
공급자 장치 패키지: SOT-23F

재고 있음4,428

ZXTN19020DGTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 9A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 9A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 450mA, 9A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
전력-최대: 3W
주파수-전환: 160MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음20,856

ZXTN19020DZQTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,544

ZXTN19020DZTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 7.5A SOT89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 375mA, 7.5A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
전력-최대: 2.4W
주파수-전환: 160MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음3,618

ZXTN19055DZTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 55V 6A SOT89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
전력-최대: 2.1W
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음8,226

ZXTN19060CFFTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 5.5A SOT23F-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 175mV @ 550mA, 5.5A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads
공급자 장치 패키지: SOT-23F

재고 있음44,442

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message