트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
ZXTN619MATA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 4A 3-DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 25nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V 전력-최대: 3W 주파수-전환: 165MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-UDFN 공급자 장치 패키지: DFN2020B-3	재고 있음283,686
ZXTN620MATA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 3.5A 3-DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A 전류-수집기 차단 (최대): 25nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V 전력-최대: 3W 주파수-전환: 160MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-UDFN 공급자 장치 패키지: DFN2020B-3	재고 있음151,194
ZXTN649FTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 25V 3A SOT23 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 725mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,058
ZXTNS618MCTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 4.5A DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN + Diode (Isolated) 전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A 전류-수집기 차단 (최대): 25nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V 전력-최대: 3W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN (3x2)	재고 있음28,110
ZXTP01500BGQTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V 전력-최대: 3W 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음2,808
ZXTP01500BGQTC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V 전력-최대: 3W 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음3,348
ZXTP01500BGTC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V 전력-최대: 3W 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음7,866
ZXTP03200BGTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 200V 2A 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: 105MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음19,536
ZXTP03200BZTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 200V 2A SOT89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 105MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음4,680
ZXTP05120HFFTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 120V 1A SOT23F-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 2mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads 공급자 장치 패키지: SOT-23F	재고 있음348,570
ZXTP07012EFFTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 12V 4A SOT23F-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 340mV @ 80mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads 공급자 장치 패키지: SOT-23F	재고 있음3,780
ZXTP07040DFFTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 3A SOT23F-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 390mV @ 150mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads 공급자 장치 패키지: SOT-23F	재고 있음78,276
ZXTP08400BFFTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 400V 0.2A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 190mV @ 40mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 70MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads 공급자 장치 패키지: SOT-23F	재고 있음325,620
ZXTP19020CFFTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 20V 5A SOT23F-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 135mV @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads 공급자 장치 패키지: SOT-23F	재고 있음25,248
ZXTP19020DFFTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 20V 5.5A SOT23F-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 175mV @ 550mA, 5.5A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 176MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads 공급자 장치 패키지: SOT-23F	재고 있음574,722
ZXTP19020DGTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 20V 8A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 275mV @ 800mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V 전력-최대: 3W 주파수-전환: 176MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음3,618
ZXTP19020DZTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 20V 6A SOT89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V 전력-최대: 2.4W 주파수-전환: 176MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음22,356
ZXTP19040CGQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,924
ZXTP19060CFFTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 4A SOT23F-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 270mV @ 400mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads 공급자 장치 패키지: SOT-23F	재고 있음21,720
ZXTP19060CGTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 5A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 3W 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음6,048
ZXTP19060CZTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 4.5A SOT89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 410mV @ 450mA, 4.5A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 2.4W 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음5,112
ZXTP19100CFFTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 2A SOT23F-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 275mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 142MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads 공급자 장치 패키지: SOT-23F	재고 있음207,846
ZXTP19100CGTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 2A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 295mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 3W 주파수-전환: 142MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음22,302
ZXTP19100CZTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 2A SOT89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 295mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 2.4W 주파수-전환: 142MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음4,284
ZXTP2006E6TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 20V 3.5A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 130mV @ 350mA, 3.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음2,214
ZXTP2008GTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 5.5A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 210mV @ 500mA, 5.5A 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V 전력-최대: 3W 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음2,250
ZXTP2008ZQTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,230
ZXTP2008ZTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 5.5A SOT89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 175mV @ 500mA, 5.5A 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V 전력-최대: 2.1W 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음284,736
ZXTP2009ZQTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,866
ZXTP2009ZTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 5.5A SOT89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 185mV @ 550mA, 5.5A 전류-수집기 차단 (최대): 20nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 2.1W 주파수-전환: 152MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음17,802

ZXTN619MATA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 4A 3-DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 25nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
전력-최대: 3W
주파수-전환: 165MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-UDFN
공급자 장치 패키지: DFN2020B-3

재고 있음283,686

ZXTN620MATA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 3.5A 3-DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대): 25nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
전력-최대: 3W
주파수-전환: 160MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-UDFN
공급자 장치 패키지: DFN2020B-3

재고 있음151,194

ZXTN649FTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 3A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 725mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,058

ZXTNS618MCTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 4.5A DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN + Diode (Isolated)
전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A
전류-수집기 차단 (최대): 25nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
전력-최대: 3W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-DFN (3x2)

재고 있음28,110

ZXTP01500BGQTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V
전력-최대: 3W
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음2,808

ZXTP01500BGQTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V
전력-최대: 3W
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음3,348

ZXTP01500BGTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V
전력-최대: 3W
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음7,866

ZXTP03200BGTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 200V 2A

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: 105MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음19,536

ZXTP03200BZTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 200V 2A SOT89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 105MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음4,680

ZXTP05120HFFTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 120V 1A SOT23F-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 2mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads
공급자 장치 패키지: SOT-23F

재고 있음348,570

ZXTP07012EFFTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 12V 4A SOT23F-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 340mV @ 80mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads
공급자 장치 패키지: SOT-23F

재고 있음3,780

ZXTP07040DFFTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 3A SOT23F-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 390mV @ 150mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads
공급자 장치 패키지: SOT-23F

재고 있음78,276

ZXTP08400BFFTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 400V 0.2A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 190mV @ 40mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 70MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads
공급자 장치 패키지: SOT-23F

재고 있음325,620

ZXTP19020CFFTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 20V 5A SOT23F-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 135mV @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads
공급자 장치 패키지: SOT-23F

재고 있음25,248

ZXTP19020DFFTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 20V 5.5A SOT23F-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 175mV @ 550mA, 5.5A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 176MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads
공급자 장치 패키지: SOT-23F

재고 있음574,722

ZXTP19020DGTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 20V 8A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 275mV @ 800mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
전력-최대: 3W
주파수-전환: 176MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음3,618

ZXTP19020DZTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 20V 6A SOT89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
전력-최대: 2.4W
주파수-전환: 176MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음22,356

ZXTP19040CGQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,924

ZXTP19060CFFTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 4A SOT23F-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 270mV @ 400mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads
공급자 장치 패키지: SOT-23F

재고 있음21,720

ZXTP19060CGTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 5A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 3W
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음6,048

ZXTP19060CZTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 4.5A SOT89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 410mV @ 450mA, 4.5A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 2.4W
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음5,112

ZXTP19100CFFTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 2A SOT23F-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 275mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 142MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads
공급자 장치 패키지: SOT-23F

재고 있음207,846

ZXTP19100CGTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 2A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 295mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 3W
주파수-전환: 142MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음22,302

ZXTP19100CZTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 2A SOT89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 295mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 2.4W
주파수-전환: 142MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음4,284

ZXTP2006E6TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 20V 3.5A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 130mV @ 350mA, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-23-6

재고 있음2,214

ZXTP2008GTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 5.5A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 210mV @ 500mA, 5.5A
전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
전력-최대: 3W
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음2,250

ZXTP2008ZQTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,230

ZXTP2008ZTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 5.5A SOT89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 175mV @ 500mA, 5.5A
전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
전력-최대: 2.1W
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음284,736

ZXTP2009ZQTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,866

ZXTP2009ZTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 5.5A SOT89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 185mV @ 550mA, 5.5A
전류-수집기 차단 (최대): 20nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 2.1W
주파수-전환: 152MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음17,802

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