트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DTC114YUBHZGTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased + Diode 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-85 공급자 장치 패키지: UMT3F	재고 있음23,778
DTC114YUBTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-85 공급자 장치 패키지: UMT3F	재고 있음8,064
DTC115ECAHZGT116 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased + Diode 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 350mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SST3	재고 있음178,806
DTC115ECAT116 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SST3	재고 있음6,804
DTC115EET1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SC-75, SOT-416	재고 있음5,976
DTC115EET1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SC-75, SOT-416	재고 있음152,796
DTC115EETL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: EMT3	재고 있음4,068
DTC115EKAT146 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3	재고 있음52,560
DTC115EM3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 260mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: SOT-723	재고 있음6,876
DTC115EMT2L Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VMT3	재고 있음2,826
DTC115EU3HZGT106 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 DTC115EU3HZG IS AN DIGITAL TRANS 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: UMT3	재고 있음23,076
DTC115EU3T106 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 DTC115EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: UMT3	재고 있음2,556
DTC115EUAT106 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: UMT3	재고 있음2,700
DTC115GKAT146 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3	재고 있음3,744
DTC115GU3T106 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 DTC115GU3 IS AN DIGITAL TRANSIST 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: UMT3	재고 있음27,024
DTC115GUAT106 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: UMT3	재고 있음4,788
DTC115TET1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SC-75	재고 있음5,364
DTC115TETL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: EMT3	재고 있음160,668
DTC115TKAT146 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3	재고 있음7,830
DTC115TM3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 0.26W SOT723 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 260mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: SOT-723	재고 있음5,112
DTC115TMT2L Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VMT3	재고 있음2,700
DTC115TUAT106 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: UMT3	재고 있음4,374
DTC123ECAHZGT116 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased + Diode 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 350mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SST3	재고 있음81,330
DTC123ECAT116 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SST3	재고 있음7,110
DTC123EET1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SC-75, SOT-416	재고 있음3,402
DTC123EET1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SC-75, SOT-416	재고 있음4,068
DTC123EETL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: EMT3	재고 있음8,136
DTC123EKAT146 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3	재고 있음56,196
DTC123EM3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 260mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: SOT-723	재고 있음4,788
DTC123EMT2L Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VMT3	재고 있음3,492

DTC114YUBHZGTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased + Diode
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-85
공급자 장치 패키지: UMT3F

재고 있음23,778

DTC114YUBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-85
공급자 장치 패키지: UMT3F

재고 있음8,064

DTC115ECAHZGT116

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased + Diode
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 350mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SST3

재고 있음178,806

DTC115ECAT116

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SST3

재고 있음6,804

DTC115EET1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SC-75, SOT-416

재고 있음5,976

DTC115EET1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SC-75, SOT-416

재고 있음152,796

DTC115EETL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: EMT3

재고 있음4,068

DTC115EKAT146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3

재고 있음52,560

DTC115EM3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 260mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: SOT-723

재고 있음6,876

DTC115EMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VMT3

재고 있음2,826

DTC115EU3HZGT106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

DTC115EU3HZG IS AN DIGITAL TRANS

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: UMT3

재고 있음23,076

DTC115EU3T106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

DTC115EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: UMT3

재고 있음2,556

DTC115EUAT106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: UMT3

재고 있음2,700

DTC115GKAT146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3

재고 있음3,744

DTC115GU3T106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

DTC115GU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: UMT3

재고 있음27,024

DTC115GUAT106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: UMT3

재고 있음4,788

DTC115TET1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SC-75

재고 있음5,364

DTC115TETL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: EMT3

재고 있음160,668

DTC115TKAT146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3

재고 있음7,830

DTC115TM3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.26W SOT723

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 260mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: SOT-723

재고 있음5,112

DTC115TMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VMT3

재고 있음2,700

DTC115TUAT106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: UMT3

재고 있음4,374

DTC123ECAHZGT116

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased + Diode
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 350mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SST3

재고 있음81,330

DTC123ECAT116

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SST3

재고 있음7,110

DTC123EET1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SC-75, SOT-416

재고 있음3,402

DTC123EET1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SC-75, SOT-416

재고 있음4,068

DTC123EETL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: EMT3

재고 있음8,136

DTC123EKAT146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3

재고 있음56,196

DTC123EM3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 260mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: SOT-723

재고 있음4,788

DTC123EMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VMT3

재고 있음3,492

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