트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DTC114TE-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-523 공급자 장치 패키지: SOT-523	재고 있음153,624
DTC114TKAT146 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3	재고 있음26,304
DTC114TKA-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3L 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3L	재고 있음8,892
DTC114TM3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 260mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: SOT-723	재고 있음2,790
DTC114TMT2L Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VMT3	재고 있음8,208
DTC114TSATP Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-72 Formed Leads 공급자 장치 패키지: SPT	재고 있음4,374
DTC114TUAT106 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: UMT3	재고 있음365,730
DTC114TUA-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음3,672
DTC114TUBTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: UMT3	재고 있음4,590
DTC114WETL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: EMT3	재고 있음3,708
DTC114WKAT146 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3	재고 있음28,968
DTC114WSATP Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-72 Formed Leads 공급자 장치 패키지: SPT	재고 있음2,898
DTC114WUAT106 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: UMT3	재고 있음21,780
DTC114YCAHZGT116 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased + Diode 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 350mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SST3	재고 있음6,318
DTC114YCAT116 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SST3	재고 있음48,606
DTC114YCA-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음4,536
DTC114YEBTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)	재고 있음7,938
DTC114YET1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SC-75, SOT-416	재고 있음8,316
DTC114YET1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SC-75, SOT-416	재고 있음606,150
DTC114YETL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: EMT3	재고 있음130,728
DTC114YE-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-523 공급자 장치 패키지: SOT-523	재고 있음2,394
DTC114YKAT146 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3	재고 있음657,918
DTC114YKA-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3L 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3L	재고 있음3,060
DTC114YM3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 260mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: SOT-723	재고 있음2,340
DTC114YMFHAT2L Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased + Diode 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VMT3	재고 있음8,910
DTC114YMT2L Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VMT3	재고 있음68,778
DTC114YU3HZGT106 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 DTC114YU3HZG IS AN DIGITAL TRANS 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: UMT3	재고 있음7,506
DTC114YU3T106 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased + Diode 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: UMT3	재고 있음6,156
DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: UMT3	재고 있음8,946
DTC114YUA-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음42,186

DTC114TE-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-523
공급자 장치 패키지: SOT-523

재고 있음153,624

DTC114TKAT146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3

재고 있음26,304

DTC114TKA-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3L

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3L

재고 있음8,892

DTC114TM3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 260mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: SOT-723

재고 있음2,790

DTC114TMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VMT3

재고 있음8,208

DTC114TSATP

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-72 Formed Leads
공급자 장치 패키지: SPT

재고 있음4,374

DTC114TUAT106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: UMT3

재고 있음365,730

DTC114TUA-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음3,672

DTC114TUBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: UMT3

재고 있음4,590

DTC114WETL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: EMT3

재고 있음3,708

DTC114WKAT146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3

재고 있음28,968

DTC114WSATP

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-72 Formed Leads
공급자 장치 패키지: SPT

재고 있음2,898

DTC114WUAT106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: UMT3

재고 있음21,780

DTC114YCAHZGT116

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased + Diode
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 350mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SST3

재고 있음6,318

DTC114YCAT116

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SST3

재고 있음48,606

DTC114YCA-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음4,536

DTC114YEBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)

재고 있음7,938

DTC114YET1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SC-75, SOT-416

재고 있음8,316

DTC114YET1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SC-75, SOT-416

재고 있음606,150

DTC114YETL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: EMT3

재고 있음130,728

DTC114YE-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-523
공급자 장치 패키지: SOT-523

재고 있음2,394

DTC114YKAT146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3

재고 있음657,918

DTC114YKA-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3L

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3L

재고 있음3,060

DTC114YM3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 260mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: SOT-723

재고 있음2,340

DTC114YMFHAT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased + Diode
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VMT3

재고 있음8,910

DTC114YMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VMT3

재고 있음68,778

DTC114YU3HZGT106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

DTC114YU3HZG IS AN DIGITAL TRANS

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: UMT3

재고 있음7,506

DTC114YU3T106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased + Diode
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: UMT3

재고 있음6,156

DTC114YUAT106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: UMT3

재고 있음8,946

DTC114YUA-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음42,186

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message