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트랜지스터

기록 64,903
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
PDTA144VM,315
PDTA144VM,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
  • 공급자 장치 패키지: DFN1006-3
재고 있음2,826
PDTA144VMB,315
PDTA144VMB,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 180MHz
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-XFDFN
  • 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3
재고 있음5,958
PDTA144VS,126

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 500mW
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음2,412
PDTA144VT,215
PDTA144VT,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음7,236
PDTA144VU,115
PDTA144VU,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음6,354
PDTA144WE,115

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
  • 공급자 장치 패키지: SC-75
재고 있음3,598
PDTA144WK,115

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK
재고 있음8,784
PDTA144WM,315
PDTA144WM,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
  • 공급자 장치 패키지: DFN1006-3
재고 있음5,598
PDTA144WMB,315
PDTA144WMB,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 180MHz
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-XFDFN
  • 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3
재고 있음6,300
PDTA144WS,126

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 500mW
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음2,178
PDTA144WT,215
PDTA144WT,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음6,696
PDTA144WU,115
PDTA144WU,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음5,040
PDTA323TK,115

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK
재고 있음2,754
PDTB113EK,115

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK
재고 있음5,148
PDTB113EQAZ
PDTB113EQAZ

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 전력-최대: 325mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1010D-3
재고 있음7,074
PDTB113ES,126

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 500mW
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음2,556
PDTB113ET,215
PDTB113ET,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음4,338
PDTB113EUF
PDTB113EUF

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.425W

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 140MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음3,186
PDTB113EUX
PDTB113EUX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.425W

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 140MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음4,284
PDTB113ZK,115

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK
재고 있음7,848
PDTB113ZQAZ
PDTB113ZQAZ

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 전력-최대: 325mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1010D-3
재고 있음3,564
PDTB113ZS,126

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 500mW
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음8,172
PDTB113ZT,215
PDTB113ZT,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음117,522
PDTB113ZUF
PDTB113ZUF

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.425W

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 140MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음3,222
PDTB113ZUX
PDTB113ZUX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.425W

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 140MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음2,826
PDTB114EQAZ
PDTB114EQAZ

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 전력-최대: 325mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1010D-3
재고 있음8,676
PDTB114ETR
PDTB114ETR

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.46W

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 140MHz
  • 전력-최대: 320mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음26,004
PDTB114ETVL
PDTB114ETVL

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.46W

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 140MHz
  • 전력-최대: 320mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음3,654
PDTB114EUF
PDTB114EUF

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.425W

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 140MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음6,228
PDTB114EUX
PDTB114EUX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.425W

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 140MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음2,466