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트랜지스터

기록 64,903
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
PDTC114EQAZ
PDTC114EQAZ

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 3DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 280mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1010D-3
재고 있음6,516
PDTC114ES,126

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 500mW
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음5,364
PDTC114ET,215
PDTC114ET,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음746,166
PDTC114ET,235
PDTC114ET,235

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음203,406
PDTC114ET/DG/B2,21

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS RET TO-236AB

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음6,858
PDTC114EU,115
PDTC114EU,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음2,225,136
PDTC114EU,135
PDTC114EU,135

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음89,580
PDTC114EU/MIF
PDTC114EU/MIF

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

RET

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음5,868
PDTC114TE,115

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
  • 공급자 장치 패키지: SC-75
재고 있음2,232
PDTC114TEF,115

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW SC89

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SC-89
재고 있음6,462
PDTC114TK,115

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK
재고 있음3,888
PDTC114TM,315
PDTC114TM,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
  • 공급자 장치 패키지: DFN1006-3
재고 있음7,236
PDTC114TMB,315
PDTC114TMB,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-XFDFN
  • 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3
재고 있음2,610
PDTC114TS,126

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 500mW
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음5,616
PDTC114TT,215
PDTC114TT,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음58,722
PDTC114TT,235
PDTC114TT,235

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음6,084
PDTC114TU,115
PDTC114TU,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음1,019,466
PDTC114YE,115

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
  • 공급자 장치 패키지: SC-75
재고 있음8,856
PDTC114YE,135

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
  • 공급자 장치 패키지: SC-75
재고 있음4,320
PDTC114YEF,115

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW SC89

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SC-89
재고 있음4,320
PDTC114YK,115

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK
재고 있음7,758
PDTC114YM,315
PDTC114YM,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
  • 공급자 장치 패키지: DFN1006-3
재고 있음6,570
PDTC114YMB,315
PDTC114YMB,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-XFDFN
  • 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3
재고 있음8,856
PDTC114YQAZ
PDTC114YQAZ

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 3DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 280mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1010D-3
재고 있음7,380
PDTC114YS,126

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 500mW
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음2,088
PDTC114YT,215
PDTC114YT,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음232,908
PDTC114YTVL
PDTC114YTVL

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PDTC114YT/SOT23/TO-236AB

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음3,636
PDTC114YU,115
PDTC114YU,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음786,468
PDTC114YUF
PDTC114YUF

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PDTC114YU/SOT323/SC-70

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음4,014
PDTC115EE,115

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 100 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
  • 공급자 장치 패키지: SC-75
재고 있음2,736