트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
RN1113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: - 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: CST3	재고 있음5,706
RN1113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: - 전력-최대: 50mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: CST3	재고 있음3,420
RN1113MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: - 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VESM	재고 있음7,002
RN1113(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SSM	재고 있음26,880
RN1114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VESM	재고 있음4,374
RN1114(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SSM	재고 있음8,694
RN1115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SSM	재고 있음3,186
RN1115MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VESM	재고 있음148,026
RN1116,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANSISTOR NPN BRT Q1BSR4.7KOHM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,318
RN1116MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VESM	재고 있음2,574
RN1116(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SSM	재고 있음3,526
RN1117MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VESM	재고 있음7,146
RN1117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SSM	재고 있음7,542
RN1118MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VESM	재고 있음5,616
RN1118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SSM	재고 있음2,340
RN1119MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: - 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VESM	재고 있음8,334
RN1130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VESM	재고 있음7,938
RN1131MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: - 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VESM	재고 있음4,086
RN1132MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 200 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: - 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VESM	재고 있음6,174
RN1301,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: USM	재고 있음261,576
RN1302,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: USM	재고 있음4,464
RN1303,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANSISTOR NPN BRT Q1BSR22KOHM Q 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,772
RN1303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: USM	재고 있음2,070
RN1304,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 X34 PB-F USM PLN (LF) TRANSISTOR 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: USM	재고 있음6,876
RN1305,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: USM	재고 있음5,994
RN1306,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: USM	재고 있음7,812
RN1307,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: USM	재고 있음6,246
RN1308,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: USM	재고 있음58,932
RN1309,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: USM	재고 있음3,490
RN1309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: USM	재고 있음4,806

RN1113ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: -
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: CST3

재고 있음5,706

RN1113CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: -
전력-최대: 50mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: CST3

재고 있음3,420

RN1113MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: -
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VESM

재고 있음7,002

RN1113(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SSM

재고 있음26,880

RN1114MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VESM

재고 있음4,374

RN1114(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SSM

재고 있음8,694

RN1115,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SSM

재고 있음3,186

RN1115MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VESM

재고 있음148,026

RN1116,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANSISTOR NPN BRT Q1BSR4.7KOHM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,318

RN1116MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VESM

재고 있음2,574

RN1116(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SSM

재고 있음3,526

RN1117MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VESM

재고 있음7,146

RN1117(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SSM

재고 있음7,542

RN1118MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VESM

재고 있음5,616

RN1118(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SSM

재고 있음2,340

RN1119MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: -
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VESM

재고 있음8,334

RN1130MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VESM

재고 있음7,938

RN1131MFV(TL3,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: -
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VESM

재고 있음4,086

RN1132MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 200 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: -
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VESM

재고 있음6,174

RN1301,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: USM

재고 있음261,576

RN1302,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: USM

재고 있음4,464

RN1303,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANSISTOR NPN BRT Q1BSR22KOHM Q

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,772

RN1303(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: USM

재고 있음2,070

RN1304,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

X34 PB-F USM PLN (LF) TRANSISTOR

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: USM

재고 있음6,876

RN1305,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: USM

재고 있음5,994

RN1306,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: USM

재고 있음7,812

RN1307,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: USM

재고 있음6,246

RN1308,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: USM

재고 있음58,932

RN1309,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: USM

재고 있음3,490

RN1309(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: USM

재고 있음4,806

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