트랜지스터

PDTD143EUF

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 225MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: SC-70

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PDTD143EUX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 225MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: SC-70

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PDTD143XQAZ

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 3DFN

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 210MHz
• 전력-최대: 325mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad
• 공급자 장치 패키지: DFN1010D-3

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PDTD143XTR

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 225MHz
• 전력-최대: 320mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: TO-236AB

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PDTD143XTVL

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 225MHz
• 전력-최대: 320mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: TO-236AB

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PDTD143XUF

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 225MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: SC-70

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PDTD143XUX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 225MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: SC-70

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RN1101ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
• 공급자 장치 패키지: CST3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN1101CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
• 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 50mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
• 공급자 장치 패키지: CST3

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RN1101,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
• 공급자 장치 패키지: SSM

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RN1101MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 150mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-723
• 공급자 장치 패키지: VESM

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RN1102ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
• 공급자 장치 패키지: CST3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN1102CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
• 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 50mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
• 공급자 장치 패키지: CST3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN1102,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
• 공급자 장치 패키지: SSM

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN1102MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 150mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-723
• 공급자 장치 패키지: VESM

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN1102T5LFT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
• 공급자 장치 패키지: SSM

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN1103ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
• 공급자 장치 패키지: CST3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN1103CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
• 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 50mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
• 공급자 장치 패키지: CST3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN1103,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
• 공급자 장치 패키지: SSM

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN1103MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 150mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-723
• 공급자 장치 패키지: VESM

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN1103MFV(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 150mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-723
• 공급자 장치 패키지: VESM

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN1104ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
• 공급자 장치 패키지: CST3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN1104CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
• 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 50mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
• 공급자 장치 패키지: CST3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN1104,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SSM

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
• 공급자 장치 패키지: SSM

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RN1104MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 150mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-723
• 공급자 장치 패키지: VESM

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RN1104MFV,L3F(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

NPN BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOHM

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• 트랜지스터 유형: -
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
• 저항-베이스 (R1): -
• 저항-이미 터베이스 (R2): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
• 전류-수집기 차단 (최대): -
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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RN1104T5LFT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
• 공급자 장치 패키지: SSM

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RN1105ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
• 공급자 장치 패키지: CST3

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RN1105CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
• 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 50mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
• 공급자 장치 패키지: CST3

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RN1105,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
• 공급자 장치 패키지: SSM

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