트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NSM21156DW6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 65V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 230mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음7,560
NSM21356DW6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 65V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 230mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음5,670
NSM46211DW6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/NPN SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 65V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 200 @ 2mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 230mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음8,262
NSTB1002DXV5T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-553 공급자 장치 패키지: SOT-553	재고 있음7,218
NSTB1002DXV5T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-553 공급자 장치 패키지: SOT-553	재고 있음4,626
NSTB1003DXV5T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT553 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-553 공급자 장치 패키지: SOT-553	재고 있음5,148
NSTB1004DXV5T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT553 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-553 공급자 장치 패키지: SOT-553	재고 있음3,562
NSTB60BDW1T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 140MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음5,868
NSTB60BDW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.25W SC88 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 140MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음29,004
NSVB114YPDXV6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS BRT 50V 100MA SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음2,700
NSVB123JPDXV6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음2,160
NSVB124XPDXV6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음6,552
NSVB143TPDXV6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 357mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음5,022
NSVB143ZPDXV6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS BRT 50V 100MA SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음3,132
NSVB144EPDXV6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음7,560
NSVB1706DMW5T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 공급자 장치 패키지: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	재고 있음5,328
NSVBA114EDXV6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563-6	재고 있음8,712
NSVBA114YDXV6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음3,132
NSVBA143ZDXV6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP BIPO 60V SOT564 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,112
NSVBC114EDXV6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN BIAS BIPOLAR SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음6,786
NSVBC114EPDXV6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP BIAS SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음6,192
NSVBC114YDXV6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음2,934
NSVBC114YPDXV65G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음8,622
NSVBC114YPDXV6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음7,398
NSVBC123JPDXV6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음5,706
NSVBC124EDXV6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음4,824
NSVBC124EPDXV6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 SS SOT563 DUAL RSTR XSTR 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 339W 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음5,922
NSVBC124XDXV6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS BRT 2NPN BIPO SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,912
NSVBC124XPDXV6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음2,862
NSVBC143TPDXV6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음3,042

NSM21156DW6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 65V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 230mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음7,560

NSM21356DW6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 65V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 230mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음5,670

NSM46211DW6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/NPN SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 65V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 200 @ 2mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 230mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음8,262

NSTB1002DXV5T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-553
공급자 장치 패키지: SOT-553

재고 있음7,218

NSTB1002DXV5T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-553
공급자 장치 패키지: SOT-553

재고 있음4,626

NSTB1003DXV5T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT553

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-553
공급자 장치 패키지: SOT-553

재고 있음5,148

NSTB1004DXV5T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT553

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-553
공급자 장치 패키지: SOT-553

재고 있음3,562

NSTB60BDW1T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 140MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음5,868

NSTB60BDW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.25W SC88

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 140MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음29,004

NSVB114YPDXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS BRT 50V 100MA SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음2,700

NSVB123JPDXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음2,160

NSVB124XPDXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음6,552

NSVB143TPDXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 357mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음5,022

NSVB143ZPDXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS BRT 50V 100MA SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음3,132

NSVB144EPDXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음7,560

NSVB1706DMW5T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
공급자 장치 패키지: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)

재고 있음5,328

NSVBA114EDXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563-6

재고 있음8,712

NSVBA114YDXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음3,132

NSVBA143ZDXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP BIPO 60V SOT564

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,112

NSVBC114EDXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN BIAS BIPOLAR SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음6,786

NSVBC114EPDXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP BIAS SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음6,192

NSVBC114YDXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음2,934

NSVBC114YPDXV65G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음8,622

NSVBC114YPDXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음7,398

NSVBC123JPDXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음5,706

NSVBC124EDXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음4,824

NSVBC124EPDXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

SS SOT563 DUAL RSTR XSTR

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 339W
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음5,922

NSVBC124XDXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS BRT 2NPN BIPO SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,912

NSVBC124XPDXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음2,862

NSVBC143TPDXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음3,042

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