트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SI7909DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 700µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual	재고 있음3,508
SI7911DN-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual	재고 있음3,600
SI7911DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual	재고 있음2,484
SI7913DN-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual	재고 있음6,372
SI7913DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual	재고 있음6,606
SI7922DN-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual	재고 있음5,796
SI7922DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual	재고 있음1,067,238
SI7923DN-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual	재고 있음4,860
SI7923DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual	재고 있음7,794
SI7925DN-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual	재고 있음8,010
SI7925DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual	재고 있음8,820
SI7938DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 20V 전력-최대: 46W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음264,246
SI7940DP-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음7,254
SI7940DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음5,940
SI7942DP-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음3,508
SI7942DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음7,488
SI7945DP-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음6,660
SI7945DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음2,160
SI7946ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 150V POWERPAK SO8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 7.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 75V 전력-최대: 19.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음6,156
SI7946DP-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음6,714
SI7946DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음8,748
SI7948DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음7,308
SI7949DP-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음86,826
SI7949DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음29,952
SI7956DP-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음8,136
SI7956DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음101,004
SI7958DP-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 11.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음7,614
SI7958DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 11.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음3,546
SI7960DP-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음3,562
SI7960DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음2,520

SI7909DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 700µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual

재고 있음3,508

SI7911DN-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual

재고 있음3,600

SI7911DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual

재고 있음2,484

SI7913DN-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual

재고 있음6,372

SI7913DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual

재고 있음6,606

SI7922DN-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual

재고 있음5,796

SI7922DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual

재고 있음1,067,238

SI7923DN-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual

재고 있음4,860

SI7923DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual

재고 있음7,794

SI7925DN-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual

재고 있음8,010

SI7925DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual

재고 있음8,820

SI7938DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 20V
전력-최대: 46W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음264,246

SI7940DP-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음7,254

SI7940DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음5,940

SI7942DP-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음3,508

SI7942DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음7,488

SI7945DP-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음6,660

SI7945DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음2,160

SI7946ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 150V POWERPAK SO8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 7.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 75V
전력-최대: 19.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음6,156

SI7946DP-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음6,714

SI7946DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음8,748

SI7948DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음7,308

SI7949DP-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음86,826

SI7949DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음29,952

SI7956DP-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음8,136

SI7956DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음101,004

SI7958DP-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음7,614

SI7958DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음3,546

SI7960DP-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음3,562

SI7960DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음2,520

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message