트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SI7234DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5000pF @ 6V 전력-최대: 46W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음3,384
SI7236DP-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4000pF @ 10V 전력-최대: 46W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음4,356
SI7236DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4000pF @ 10V 전력-최대: 46W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음29,232
SI7252DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1170pF @ 50V 전력-최대: 46W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	견적 요청
SI7270DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 15V 전력-최대: 17.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음6,786
SI7272DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 15V 전력-최대: 22W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음82,320
SI7288DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 565pF @ 20V 전력-최대: 15.6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음40,292
SI7501DN-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel, Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A, 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual	재고 있음8,694
SI7501DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel, Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A, 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual	재고 있음7,884
SI7530DP-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 3.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W, 1.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음3,400
SI7540ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH POWERPAK8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1310pF @ 10V 전력-최대: 3.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음3,960
SI7540DP-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A, 5.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음7,542
SI7540DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A, 5.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음8,784
SI7842DP-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: LITTLE FOOT® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음8,532
SI7842DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: LITTLE FOOT® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음5,868
SI7844DP-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음8,406
SI7844DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음2,826
SI7872DP-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: LITTLE FOOT® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음4,518
SI7872DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: LITTLE FOOT® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	재고 있음8,748
SI7900AEDN-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual	재고 있음745,362
SI7900AEDN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual	재고 있음3,384
SI7901EDN-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 6.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 800µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual	재고 있음7,236
SI7901EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 6.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 800µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual	재고 있음4,932
SI7904BDN-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 860pF @ 10V 전력-최대: 17.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual	재고 있음3,582
SI7904BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 860pF @ 10V 전력-최대: 17.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual	재고 있음4,608
SI7904DN-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 935µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual	재고 있음6,012
SI7904DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 935µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual	재고 있음2,250
SI7905DN-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 880pF @ 20V 전력-최대: 20.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual	재고 있음5,238
SI7905DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 880pF @ 20V 전력-최대: 20.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual	재고 있음6,949
SI7909DN-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 700µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual	재고 있음5,688

SI7234DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5000pF @ 6V
전력-최대: 46W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음3,384

SI7236DP-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4000pF @ 10V
전력-최대: 46W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음4,356

SI7236DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4000pF @ 10V
전력-최대: 46W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음29,232

SI7252DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1170pF @ 50V
전력-최대: 46W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

견적 요청

SI7270DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 15V
전력-최대: 17.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음6,786

SI7272DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 15V
전력-최대: 22W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음82,320

SI7288DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 565pF @ 20V
전력-최대: 15.6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음40,292

SI7501DN-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel, Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A, 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual

재고 있음8,694

SI7501DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel, Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A, 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual

재고 있음7,884

SI7530DP-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 3.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W, 1.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음3,400

SI7540ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH POWERPAK8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1310pF @ 10V
전력-최대: 3.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음3,960

SI7540DP-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A, 5.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음7,542

SI7540DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A, 5.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음8,784

SI7842DP-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: LITTLE FOOT®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음8,532

SI7842DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: LITTLE FOOT®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음5,868

SI7844DP-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음8,406

SI7844DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음2,826

SI7872DP-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: LITTLE FOOT®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음4,518

SI7872DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: LITTLE FOOT®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

재고 있음8,748

SI7900AEDN-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual

재고 있음745,362

SI7900AEDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual

재고 있음3,384

SI7901EDN-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 800µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual

재고 있음7,236

SI7901EDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 800µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual

재고 있음4,932

SI7904BDN-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 860pF @ 10V
전력-최대: 17.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual

재고 있음3,582

SI7904BDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 860pF @ 10V
전력-최대: 17.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual

재고 있음4,608

SI7904DN-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 935µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual

재고 있음6,012

SI7904DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 935µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual

재고 있음2,250

SI7905DN-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 880pF @ 20V
전력-최대: 20.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual

재고 있음5,238

SI7905DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 880pF @ 20V
전력-최대: 20.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual

재고 있음6,949

SI7909DN-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 700µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual

재고 있음5,688

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