트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
ZXMN10A08DN8TC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 405pF @ 50V 전력-최대: 1.25W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음2,754
ZXMN2088DE6TA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 279pF @ 10V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음4,050
ZXMN2A04DN8TA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.1nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1880pF @ 10V 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음4,536
ZXMN2A04DN8TC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.1nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1880pF @ 10V 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,254
ZXMN2AM832TA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 299pF @ 15V 전력-최대: 1.7W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x2)	재고 있음29,004
ZXMN2AMCTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 299pF @ 15V 전력-최대: 1.7W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: W-DFN3020-8	재고 있음7,110
ZXMN3A04DN8TA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36.8nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1890pF @ 15V 전력-최대: 1.81W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음13,350
ZXMN3A04DN8TC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36.8nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1890pF @ 15V 전력-최대: 1.81W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,352
ZXMN3A06DN8TA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 796pF @ 25V 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음12,462
ZXMN3A06DN8TC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 796pF @ 25V 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음2,880
ZXMN3A06N8TA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음6,804
ZXMN3AM832TA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 25V 전력-최대: 1.13W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x2)	재고 있음2,070
ZXMN3AMCTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 25V 전력-최대: 1.7W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: W-DFN3020-8	재고 있음8,262
ZXMN3F31DN8TA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 608pF @ 15V 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음18,168
ZXMN3G32DN8TA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 472pF @ 15V 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음28,422
ZXMN6A09DN8TA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.2nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1407pF @ 40V 전력-최대: 1.25W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음15,234
ZXMN6A09DN8TC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.2nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1407pF @ 40V 전력-최대: 1.25W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음5,580
ZXMN6A11DN8TA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 40V 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음35,034
ZXMN6A11DN8TC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 40V 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,352
ZXMN6A25DN8TA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1063pF @ 30V 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음16,944
ZXMP3A16DN8TA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1022pF @ 15V 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음5,130
ZXMP3A17DN8TA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 3.4A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.28nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 15V 전력-최대: 2.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,258
ZXMP3F37DN8TA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1678pF @ 15V 전력-최대: 1.81W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,074
ZXMP6A16DN8QTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1021pF @ 30V 전력-최대: 1.81W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음4,572
ZXMP6A16DN8TA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.1nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1021pF @ 30V 전력-최대: 2.15W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음2,124
ZXMP6A16DN8TC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1021pF @ 30V 전력-최대: 1.25W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,490
ZXMP6A17DN8TA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 637pF @ 30V 전력-최대: 1.81W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음13,890
ZXMP6A18DN8TA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1580pF @ 30V 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음33,366
150-101N09A-00 IXYS-RF	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET N-CHANNEL DE150 제조업체: IXYS-RF 시리즈: DE 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): 9A 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 200W 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DE150	재고 있음7,974
150-102N02A-00 IXYS-RF	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET N-CHANNEL DE150 제조업체: IXYS-RF 시리즈: DE 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): 2A 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 200W 전압-정격: 1000V 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DE150	재고 있음9,180

ZXMN10A08DN8TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 405pF @ 50V
전력-최대: 1.25W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음2,754

ZXMN2088DE6TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 279pF @ 10V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-23-6

재고 있음4,050

ZXMN2A04DN8TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1880pF @ 10V
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음4,536

ZXMN2A04DN8TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1880pF @ 10V
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,254

ZXMN2AM832TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 299pF @ 15V
전력-최대: 1.7W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x2)

재고 있음29,004

ZXMN2AMCTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 299pF @ 15V
전력-최대: 1.7W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: W-DFN3020-8

재고 있음7,110

ZXMN3A04DN8TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1890pF @ 15V
전력-최대: 1.81W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음13,350

ZXMN3A04DN8TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1890pF @ 15V
전력-최대: 1.81W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음8,352

ZXMN3A06DN8TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 796pF @ 25V
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음12,462

ZXMN3A06DN8TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 796pF @ 25V
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음2,880

ZXMN3A06N8TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음6,804

ZXMN3AM832TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 25V
전력-최대: 1.13W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x2)

재고 있음2,070

ZXMN3AMCTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 25V
전력-최대: 1.7W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: W-DFN3020-8

재고 있음8,262

ZXMN3F31DN8TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 608pF @ 15V
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음18,168

ZXMN3G32DN8TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 472pF @ 15V
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음28,422

ZXMN6A09DN8TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.2nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1407pF @ 40V
전력-최대: 1.25W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음15,234

ZXMN6A09DN8TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.2nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1407pF @ 40V
전력-최대: 1.25W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음5,580

ZXMN6A11DN8TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 40V
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음35,034

ZXMN6A11DN8TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 40V
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음8,352

ZXMN6A25DN8TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1063pF @ 30V
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음16,944

ZXMP3A16DN8TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1022pF @ 15V
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음5,130

ZXMP3A17DN8TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 3.4A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.28nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 15V
전력-최대: 2.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,258

ZXMP3F37DN8TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1678pF @ 15V
전력-최대: 1.81W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,074

ZXMP6A16DN8QTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1021pF @ 30V
전력-최대: 1.81W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음4,572

ZXMP6A16DN8TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.1nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1021pF @ 30V
전력-최대: 2.15W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음2,124

ZXMP6A16DN8TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1021pF @ 30V
전력-최대: 1.25W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,490

ZXMP6A17DN8TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 637pF @ 30V
전력-최대: 1.81W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음13,890

ZXMP6A18DN8TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1580pF @ 30V
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음33,366

150-101N09A-00

IXYS-RF

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET N-CHANNEL DE150

제조업체: IXYS-RF
시리즈: DE
트랜지스터 유형: N-Channel
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): 9A
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: 200W
전압-정격: 100V
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DE150

재고 있음7,974

150-102N02A-00

IXYS-RF

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET N-CHANNEL DE150

제조업체: IXYS-RF
시리즈: DE
트랜지스터 유형: N-Channel
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): 2A
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: 200W
전압-정격: 1000V
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DE150

재고 있음9,180

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