트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
UT6MA2TCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 UT6MA2 IS SMALL SURFACE MOUNT PA 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.3nC, 6.7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF, 305pF @ 15V 전력-최대: 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN 공급자 장치 패키지: HUML2020L8	재고 있음7,848
UT6MA3TCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 20V NCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, 5.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-PowerUDFN 공급자 장치 패키지: HUML2020L8	재고 있음55,044
VBH40-05B IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 500V 40A V2 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: V2-PAK 공급자 장치 패키지: V2-PAK	재고 있음3,222
VEC2315-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 60V 2.5A VEC8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 20V 전력-최대: 1W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-VEC	재고 있음4,158
VEC2315-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 60V 2.5A VEC8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 20V 전력-최대: 1W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: SOT-28FL/VEC8	재고 있음4,014
VEC2415-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 505pF @ 20V 전력-최대: 1W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: SOT-28FL/VEC8	재고 있음21,949
VEC2415-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 505pF @ 20V 전력-최대: 1W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: SOT-28FL/VEC8	재고 있음7,362
VEC2415-TL-W-Z ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET NCH+NCH 4V DRIVE SERIES 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 505pF @ 20V 전력-최대: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: SOT-28FL/ECH8	재고 있음3,024
VEC2616-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 505pF @ 20V 전력-최대: 1W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: SOT-28FL/VEC8	재고 있음6,048
VEC2616-TL-H-Z ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 505pF @ 20V 전력-최대: 1W 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: SOT-28FL/VEC8	재고 있음6,624
VEC2616-TL-H-Z-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 PCH+NCH 4V DRIVE SERIES 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,844
VEC2616-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 505pF @ 20V 전력-최대: 1W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: SOT-28FL/VEC8	재고 있음43,326
VEC2616-TL-W-Z ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 505pF @ 20V 전력-최대: 1W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: SOT-28FL/VEC8	재고 있음2,484
VHM40-06P1 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 600V 38A ECO-PAC2 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ECO-PAC2 공급자 장치 패키지: ECO-PAC2	재고 있음5,436
VKM40-06P1 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 600V 38A ECO-PAC2 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ECO-PAC2 공급자 장치 패키지: ECO-PAC2	재고 있음8,748
VKM60-01P1 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 100V 75A ECO-PAC2 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4500pF @ 25V 전력-최대: 300W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: ECO-PAC2 공급자 장치 패키지: ECO-PAC2	재고 있음5,940
VMK165-007T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 70V 165A TO-240AA 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 70V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 165A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 480nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8800pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: TO-240AA 공급자 장치 패키지: TO-240AA	재고 있음6,912
VMK90-02T2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 200V 83A TO-240AA 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 83A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 450nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15000pF @ 25V 전력-최대: 380W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: TO-240AA 공급자 장치 패키지: TO-240AA	재고 있음2,232
VMM1000-01P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1000A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 800A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2355nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Y3-Li 공급자 장치 패키지: Y3-Li	재고 있음6,552
VMM1500-0075P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 75V 1500A Y3-LI 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1500A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 1200A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2480nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Y3-Li 공급자 장치 패키지: Y3-Li	재고 있음6,300
VMM300-03F IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 300V 290A Y3-DCB 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 290A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 145A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 30mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1440nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40000pF @ 25V 전력-최대: 1500W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Y3-DCB 공급자 장치 패키지: Y3-DCB	재고 있음5,814
VMM45-02F IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 200V 45A TO-240AA 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7500pF @ 25V 전력-최대: 190W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: TO-240AA 공급자 장치 패키지: TO-240AA	재고 있음5,940
VMM650-01F IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 680A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 500A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 30mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1440nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Y3-Li 공급자 장치 패키지: Y3-Li	재고 있음140
VMM85-02F IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 200V 84A Y4 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 84A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 450nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15000pF @ 25V 전력-최대: 370W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Y4-M6 공급자 장치 패키지: Y4-M6	재고 있음7,704
VMM90-09F IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 65A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 30mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 960nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Y3-Li 공급자 장치 패키지: Y3-Li	재고 있음7,668
VMM90-09P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI 제조업체: IXYS 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,266
VQ1001P Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 830mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 200mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 14-DIP	재고 있음24
VQ1001P-2 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 830mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 200mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 14-DIP	재고 있음5,994
VQ1001P-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 830mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 200mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 14-DIP	재고 있음3,580
VQ1006P Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 90V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 14-DIP	재고 있음7,884

UT6MA2TCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

UT6MA2 IS SMALL SURFACE MOUNT PA

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.3nC, 6.7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF, 305pF @ 15V
전력-최대: 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN
공급자 장치 패키지: HUML2020L8

재고 있음7,848

UT6MA3TCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

20V NCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, 5.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-PowerUDFN
공급자 장치 패키지: HUML2020L8

재고 있음55,044

VBH40-05B

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 500V 40A V2

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: V2-PAK
공급자 장치 패키지: V2-PAK

재고 있음3,222

VEC2315-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 60V 2.5A VEC8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 20V
전력-최대: 1W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-VEC

재고 있음4,158

VEC2315-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 60V 2.5A VEC8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 20V
전력-최대: 1W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: SOT-28FL/VEC8

재고 있음4,014

VEC2415-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 505pF @ 20V
전력-최대: 1W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: SOT-28FL/VEC8

재고 있음21,949

VEC2415-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 505pF @ 20V
전력-최대: 1W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: SOT-28FL/VEC8

재고 있음7,362

VEC2415-TL-W-Z

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET NCH+NCH 4V DRIVE SERIES

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 505pF @ 20V
전력-최대: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: SOT-28FL/ECH8

재고 있음3,024

VEC2616-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 505pF @ 20V
전력-최대: 1W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: SOT-28FL/VEC8

재고 있음6,048

VEC2616-TL-H-Z

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 505pF @ 20V
전력-최대: 1W
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: SOT-28FL/VEC8

재고 있음6,624

VEC2616-TL-H-Z-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

PCH+NCH 4V DRIVE SERIES

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,844

VEC2616-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 505pF @ 20V
전력-최대: 1W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: SOT-28FL/VEC8

재고 있음43,326

VEC2616-TL-W-Z

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 505pF @ 20V
전력-최대: 1W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: SOT-28FL/VEC8

재고 있음2,484

VHM40-06P1

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 600V 38A ECO-PAC2

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ECO-PAC2
공급자 장치 패키지: ECO-PAC2

재고 있음5,436

VKM40-06P1

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 600V 38A ECO-PAC2

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ECO-PAC2
공급자 장치 패키지: ECO-PAC2

재고 있음8,748

VKM60-01P1

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 100V 75A ECO-PAC2

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4500pF @ 25V
전력-최대: 300W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: ECO-PAC2
공급자 장치 패키지: ECO-PAC2

재고 있음5,940

VMK165-007T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 70V 165A TO-240AA

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 70V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 165A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 480nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8800pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: TO-240AA
공급자 장치 패키지: TO-240AA

재고 있음6,912

VMK90-02T2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 200V 83A TO-240AA

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 83A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 450nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15000pF @ 25V
전력-최대: 380W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: TO-240AA
공급자 장치 패키지: TO-240AA

재고 있음2,232

VMM1000-01P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1000A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 800A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2355nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Y3-Li
공급자 장치 패키지: Y3-Li

재고 있음6,552

VMM1500-0075P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 75V 1500A Y3-LI

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1500A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 1200A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2480nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Y3-Li
공급자 장치 패키지: Y3-Li

재고 있음6,300

VMM300-03F

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 300V 290A Y3-DCB

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 290A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 145A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 30mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1440nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40000pF @ 25V
전력-최대: 1500W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Y3-DCB
공급자 장치 패키지: Y3-DCB

재고 있음5,814

VMM45-02F

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 200V 45A TO-240AA

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7500pF @ 25V
전력-최대: 190W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: TO-240AA
공급자 장치 패키지: TO-240AA

재고 있음5,940

VMM650-01F

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 680A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 500A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 30mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1440nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Y3-Li
공급자 장치 패키지: Y3-Li

재고 있음140

VMM85-02F

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 200V 84A Y4

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 84A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 450nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15000pF @ 25V
전력-최대: 370W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Y4-M6
공급자 장치 패키지: Y4-M6

재고 있음7,704

VMM90-09F

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 65A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 30mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 960nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Y3-Li
공급자 장치 패키지: Y3-Li

재고 있음7,668

VMM90-09P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI

제조업체: IXYS
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,266

VQ1001P

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 830mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 14-DIP

재고 있음24

VQ1001P-2

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 830mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 14-DIP

재고 있음5,994

VQ1001P-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 830mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 14-DIP

재고 있음3,580

VQ1006P

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 90V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 14-DIP

재고 있음7,884

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