트랜지스터

TSM3911DCX6 RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 P-CH 20V 2.2A SOT26

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2.2A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.23nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 882.51pF @ 6V
• 전력-최대: 1.15W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: SOT-26

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TSM4925DCS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 P-CH 30V 7.1A 8SOP

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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TSM4936DCS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V 5.9A 8SOP

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.9A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 610pF @ 15V
• 전력-최대: 3W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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TSM4946DCS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 60V 4.5A 8SOP

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 910pF @ 24V
• 전력-최대: 2.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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TSM4953DCS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 P-CH 30V 4.9A 8SOP

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 745pF @ 15V
• 전력-최대: 2.5W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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TSM500P02DCQ RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 P-CH 20V 4.7A 6TDFN

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1230pF @ 10V
• 전력-최대: 620mW
• 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad
• 공급자 장치 패키지: 6-TDFN (2x2)

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TSM6502CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc), 18A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
• 전력-최대: 40W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
• 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6)

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TSM680P06DPQ56 RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.4nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 30V
• 전력-최대: 3.5W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
• 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6)

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TSM6866SDCA RVG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 20V 6A 8TSSOP

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 600mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 565pF @ 8V
• 전력-최대: 1.6W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

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TSM6963SDCA RVG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 P-CH 20V 4.5A 8TSSOP

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 10V
• 전력-최대: 1.14W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

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TSM6968DCA RVG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 20V 6.5A 8TSSOP

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 10V
• 전력-최대: 1.04W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

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TSM6968SDCA RVG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 20V 6.5A 8TSSOP

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 10V
• 전력-최대: 1.04W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

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TSM8568CS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 15A/13A 8SOP

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc), 13A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V, 24mOhm @ 7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 646pF @ 15V, 1089pF @ 15V
• 전력-최대: 6W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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TSM8588CS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

COMPLEMENTARY N & P-CHANNEL POWE

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel Complementary
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta), 5A (Tc), 2A (Ta), 4A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 2.5A, 10V, 180mOhm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.4nC @ 10V, 9nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 527pF @ 30V, 436pF @ 30V
• 전력-최대: 1.4W (Ta), 5.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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TSM9926DCS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 6A 8SOP

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 600mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 562pF @ 8V
• 전력-최대: 1.6W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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TSM9933DCS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 P-CH 20V 4.7A 8SOP

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 10V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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TT8J11TCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate, 1.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 6V
• 전력-최대: 650mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
• 공급자 장치 패키지: 8-TSST

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TT8J13TCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 2.5A TSST8

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate, 1.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 2.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 6V
• 전력-최대: 1W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
• 공급자 장치 패키지: 8-TSST

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TT8J1TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 2.5A TSST8

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 6V
• 전력-최대: 1.25W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
• 공급자 장치 패키지: 8-TSST

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

TT8J21TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.5A TSST8

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1270pF @ 10V
• 전력-최대: 650mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
• 공급자 장치 패키지: 8-TSST

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

TT8J2TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.8nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 10V
• 전력-최대: 1.25W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
• 공급자 장치 패키지: 8-TSST

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

TT8J3TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

4V DRIVE PCH+PCH MOSFET

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.8nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 15V
• 전력-최대: 1.25W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
• 공급자 장치 패키지: 8-TSST

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TT8K11TCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 3A TSST8

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1A
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 10V
• 전력-최대: 1W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
• 공급자 장치 패키지: 8-TSST

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TT8K1TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSST8

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate, 1.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 260pF @ 10V
• 전력-최대: 1W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
• 공급자 장치 패키지: 8-TSST

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TT8K2TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 10V
• 전력-최대: 1.25W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
• 공급자 장치 패키지: 8-TSST

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TT8M1TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate, 1.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 260pF @ 10V
• 전력-최대: 1W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
• 공급자 장치 패키지: 8-TSST

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TT8M2TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A TSST8

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 10V
• 전력-최대: 1.25W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
• 공급자 장치 패키지: 8-TSST

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TT8M3TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate, 1.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A, 2.4A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 260pF @ 10V
• 전력-최대: 1W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
• 공급자 장치 패키지: 8-TSST

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UM5K1NTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-353

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 5V
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 공급자 장치 패키지: UMT5

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UM6J1NTN

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 200mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 10V
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: UMT6

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