트랜지스터

TMC1420-LA

Trinamic Motion Control GmbH

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 40V 8PQFN

• 제조업체: Trinamic Motion Control GmbH
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.8A, 7.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.2nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1050pF @ 15V
• 전력-최대: 3.57W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
• 공급자 장치 패키지: PQFN (5x6)

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TMC1620-TO

Trinamic Motion Control GmbH

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V TO252-4

• 제조업체: Trinamic Motion Control GmbH
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel, Common Drain
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, 4.7A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1560pF @ 25V
• 전력-최대: 3.13W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
• 공급자 장치 패키지: TO-252-4L

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TPC8207(TE12L)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4.8A, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2010pF @ 10V
• 전력-최대: 450mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP (5.5x6.0)

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TPC8207(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4.8A, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2010pF @ 10V
• 전력-최대: 450mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP (5.5x6.0)

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TPC8208(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOP

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 780pF @ 10V
• 전력-최대: 450mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP (5.5x6.0)

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TPC8208(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 5A SOP8

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 780pF @ 10V
• 전력-최대: 450mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP (5.5x6.0)

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TPC8211(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 10V
• 전력-최대: 450mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP (5.5x6.0)

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TPC8212-H(TE12LQ,M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 10V
• 전력-최대: 450mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP (5.5x6.0)

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TPC8213-H(TE12LQ,M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 625pF @ 10V
• 전력-최대: 450mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP (5.5x6.0)

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TPC8221-H,LQ(S

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 830pF @ 10V
• 전력-최대: 450mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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TPC8223-H,LQ(S

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1190pF @ 10V
• 전력-최대: 450mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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TPC8405(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 4.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1240pF @ 10V
• 전력-최대: 450mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP (5.5x6.0)

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TPC8407,LQ(S

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 9A/7.4A 8SOP

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, 7.4A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1190pF @ 10V
• 전력-최대: 450mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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TPC8408,LQ(S

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.1A, 5.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 10V
• 전력-최대: 450mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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TPCF8201(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 1.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 10V
• 전력-최대: 330mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
• 공급자 장치 패키지: VS-8 (2.9x1.5)

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TPCF8304(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 3.2A VS-8

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 1.6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V
• 전력-최대: 330mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
• 공급자 장치 패키지: VS-8 (2.9x1.5)

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TPCF8402(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, 3.2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF @ 10V
• 전력-최대: 330mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
• 공급자 장치 패키지: VS-8 (2.9x1.5)

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TPCL4201(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 4CHIPLGA

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 10V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 4-XFLGA
• 공급자 장치 패키지: 4-Chip LGA (1.59x1.59)

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TPCL4202(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 4CHIPLGA

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 780pF @ 10V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 4-XFLGA
• 공급자 장치 패키지: 4-Chip LGA (1.59x1.59)

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TPCL4203(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 4CHIPLGA

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 685pF @ 10V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 4-XFLGA
• 공급자 장치 패키지: 4-Chip LGA (1.59x1.59)

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TPCP8203(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 4.7A PS-8

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: 360mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
• 공급자 장치 패키지: PS-8 (2.9x2.4)

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TPCP8401(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V/12V PS-8

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 12V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA, 5.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.3pF @ 3V
• 전력-최대: 1W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
• 공급자 장치 패키지: PS-8 (2.9x2.4)

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TPD3215M

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE

• 제조업체: Transphorm
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 8V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2260pF @ 100V
• 전력-최대: 470W
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: Module

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TPIC1502DW

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 20V 1.5A DMOS 24-DW

• 제조업체:
• 시리즈: -
• FET 유형: -
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 98pF @ 14V
• 전력-최대: 2.86W
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 24-SOIC

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TPS1120D

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC

• 제조업체:
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.17A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.45nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: 840mW
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC

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TPS1120DR

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC

• 제조업체:
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.17A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.45nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: 840mW
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC

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TSM1N45DCS RL

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CHANNEL

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 250mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.9V @ 250mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: -
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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TSM200N03DPQ33 RGG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 345pF @ 25V
• 전력-최대: 20W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
• 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (3x3)

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TSM250N02DCQ RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 775pF @ 10V
• 전력-최대: 620mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad
• 공급자 장치 패키지: 6-TDFN (2x2)

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TSM2537CQ RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.6A (Tc), 9A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55mOhm @ 5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 677pF @ 10V, 744pF @ 10V
• 전력-최대: 6.25W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad
• 공급자 장치 패키지: 6-TDFN (2x2)

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