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TPCF8304(TE85L,F,M

TPCF8304(TE85L,F,M

참조 용

부품 번호 TPCF8304(TE85L,F,M
PNEDA 부품 번호 TPCF8304-TE85L-F-M
설명 MOSFET 2P-CH 30V 3.2A VS-8
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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TPCF8304(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TPCF8304(TE85L,F,M
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
TPCF8304(TE85L, TPCF8304(TE85L 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 250.34 KB)
PDFTPCF8304(TE85L 데이터 시트 표지
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TPCF8304(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs72mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs14nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds600pF @ 10V
전력-최대330mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지VS-8 (2.9x1.5)

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제조업체

ON Semiconductor

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

62V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.3nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 15V

전력-최대

2.27W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N and 2 P-Channel Matched Pair

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOIC

CCS020M12CM2

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

Z-Rec®

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

29.5A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

98mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 1mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

61.5nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 800V

전력-최대

167W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

NTMFD4C87NT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.7A, 14.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1252pF @ 15V

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Microchip Technology

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

60Ohm @ 50mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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