트랜지스터

RN1969FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 47kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: ES6

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RN1970FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: ES6

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RN1970(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 200mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: US6

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RN1971FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 10kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: ES6

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RN1971TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 10kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 200mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: US6

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RN1973(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 47kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 200mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: US6

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RN2502(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 10kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 200MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
• 공급자 장치 패키지: SMV

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RN2503(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 22kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 200MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
• 공급자 장치 패키지: SMV

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RN2504(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 47kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 200MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
• 공급자 장치 패키지: SMV

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RN2505TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 200MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
• 공급자 장치 패키지: SMV

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RN2506(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 200MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
• 공급자 장치 패키지: SMV

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN2507(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 10kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 200MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
• 공급자 장치 패키지: SMV

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN2510(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 200MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
• 공급자 장치 패키지: SMV

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN2511(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 10kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 200MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
• 공급자 장치 패키지: SMV

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN2601(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 200MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
• 공급자 장치 패키지: SM6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN2602(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 10kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 200MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
• 공급자 장치 패키지: SM6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN2603(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 22kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 200MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
• 공급자 장치 패키지: SM6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN2604(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 47kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 200MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
• 공급자 장치 패키지: SM6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN2605(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 200MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
• 공급자 장치 패키지: SM6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN2606(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 200MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
• 공급자 장치 패키지: SM6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN2607(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 10kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 200MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
• 공급자 장치 패키지: SM6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN2608(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 22kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 200MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
• 공급자 장치 패키지: SM6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN2610(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 200MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
• 공급자 장치 패키지: SM6

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RN2701JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 200MHz
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-553
• 공급자 장치 패키지: ESV

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RN2701,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• 트랜지스터 유형: -
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
• 저항-베이스 (R1): -
• 저항-이미 터베이스 (R2): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
• 전류-수집기 차단 (최대): -
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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RN2702,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANSISTOR PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• 트랜지스터 유형: -
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
• 저항-베이스 (R1): -
• 저항-이미 터베이스 (R2): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
• 전류-수집기 차단 (최대): -
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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RN2702TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 10kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 200MHz
• 전력-최대: 200mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 공급자 장치 패키지: USV

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RN2703JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 22kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 200MHz
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-553
• 공급자 장치 패키지: ESV

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RN2703,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• 트랜지스터 유형: -
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
• 저항-베이스 (R1): -
• 저항-이미 터베이스 (R2): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
• 전류-수집기 차단 (최대): -
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN2704JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 47kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 200MHz
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-553
• 공급자 장치 패키지: ESV

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