트랜지스터

PUMH9,135

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 10kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

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PUMH9,165

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 10kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

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PUML1,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/NPN 6TSSOP

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 200mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 10kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 210 @ 2mA, 10V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 100mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
• 주파수-전환: 230MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

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QSH29TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 1.25W TSMT6

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V
• 저항-베이스 (R1): 10kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 200mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 100mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 1.25W
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)

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RN1501(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
• 공급자 장치 패키지: SMV

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RN1502(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 10kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
• 공급자 장치 패키지: SMV

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RN1503(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 22kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
• 공급자 장치 패키지: SMV

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RN1505(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
• 공급자 장치 패키지: SMV

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RN1506(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
• 공급자 장치 패키지: SMV

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN1507(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 10kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
• 공급자 장치 패키지: SMV

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RN1508(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 22kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
• 공급자 장치 패키지: SMV

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN1509(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 47kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
• 공급자 장치 패키지: SMV

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN1510(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
• 공급자 장치 패키지: SMV

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN1511(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 10kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
• 공급자 장치 패키지: SMV

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN1601(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
• 공급자 장치 패키지: SM6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN1602(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 10kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
• 공급자 장치 패키지: SM6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN1604(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 47kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
• 공급자 장치 패키지: SM6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN1605TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
• 공급자 장치 패키지: SM6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN1606(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
• 공급자 장치 패키지: SM6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN1607(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 10kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
• 공급자 장치 패키지: SM6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN1608(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 22kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
• 공급자 장치 패키지: SM6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN1609(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 47kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
• 공급자 장치 패키지: SM6

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN1610(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
• 공급자 장치 패키지: SM6

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RN1611(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 10kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
• 공급자 장치 패키지: SM6

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RN1673(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 47kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 300mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
• 공급자 장치 패키지: SM6

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RN1701JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-553
• 공급자 장치 패키지: ESV

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RN1701,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• 트랜지스터 유형: -
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
• 저항-베이스 (R1): -
• 저항-이미 터베이스 (R2): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
• 전류-수집기 차단 (최대): -
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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RN1702JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 10kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-553
• 공급자 장치 패키지: ESV

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RN1702,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER10KOH

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• 트랜지스터 유형: -
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
• 저항-베이스 (R1): -
• 저항-이미 터베이스 (R2): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
• 전류-수집기 차단 (최대): -
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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RN1703JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 22kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-553
• 공급자 장치 패키지: ESV

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