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트랜지스터

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PRMH9Z
PRMH9Z

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PRMH9/SOT1268/DFN1412-6

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 480mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1412-6
재고 있음53,388
PUMB10,115
PUMB10,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • 주파수-전환: 180MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음21,780
PUMB11,115
PUMB11,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음235,200
PUMB11,135
PUMB11,135

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음2,304
PUMB1,115
PUMB1,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음2,664
PUMB1,135
PUMB1,135

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음7,902
PUMB13,115
PUMB13,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음8,568
PUMB14,115
PUMB14,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음5,760
PUMB15,115
PUMB15,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음7,668
PUMB16,115
PUMB16,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음6,966
PUMB17,115
PUMB17,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음7,200
PUMB18,115
PUMB18,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음7,506
PUMB19,115
PUMB19,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음5,868
PUMB1/DG/B3,115
PUMB1/DG/B3,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS RET SC-88

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • 주파수-전환: 180MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음7,848
PUMB20,115
PUMB20,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음7,632
PUMB2,115
PUMB2,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음158,694
PUMB24,115
PUMB24,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 100kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 100kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음7,596
PUMB2/DG/B3,115
PUMB2/DG/B3,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS RET SC-88

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 180MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음6,264
PUMB2F
PUMB2F

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PUMB2/SOT363/SC-88

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 180MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음7,452
PUMB30,115
PUMB30,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음3,960
PUMB3,115
PUMB3,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음7,830
PUMB4,115
PUMB4,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음4,122
PUMB9,115
PUMB9,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음18,018
PUMB9,125
PUMB9,125

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 180MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음22,332
PUMD10,115
PUMD10,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음58,140
PUMD10,125
PUMD10,125

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음2,250
PUMD10,135
PUMD10,135

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음73,266
PUMD12,115
PUMD12,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz, 180MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음318,972
PUMD12,135
PUMD12,135

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz, 180MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음8,316
PUMD12/DG/B3,115
PUMD12/DG/B3,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS RET SC-88

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz, 180MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음6,192