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트랜지스터

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설명
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PIMC31F
PIMC31F

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PIMC31/SOT457/SC-74

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 1kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 420mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSOP
재고 있음86,988
PIMD2,115
PIMD2,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.6W 6TSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 600mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSOP
재고 있음5,346
PIMD2,125
PIMD2,125

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.6W 6TSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 600mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSOP
재고 있음4,716
PIMD3,115
PIMD3,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.6W 6TSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 600mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSOP
재고 있음764,928
PIMD3F
PIMD3F

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PIMD3/SOT457/SC-74

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz, 180MHz
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSOP
재고 있음7,488
PIMH9,115
PIMH9,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.6W 6TSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 600mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSOP
재고 있음5,994
PIMN31,115
PIMN31,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.42W 6TSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 1kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 420mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSOP
재고 있음119,946
PQMB11Z
PQMB11Z

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PNP/PNP RET 6DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 180MHz
  • 전력-최대: 230mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1010B-6
재고 있음8,802
PQMD10Z
PQMD10Z

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP RET 6DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz, 180MHz
  • 전력-최대: 230mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1010B-6
재고 있음8,802
PQMD12Z
PQMD12Z

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.35W 6DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 230MHz, 180MHz
  • 전력-최대: 350mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1010B-6
재고 있음3,096
PQMD13Z
PQMD13Z

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP RET 6DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz, 180MHz
  • 전력-최대: 350mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1010B-6
재고 있음6,390
PQMD16Z
PQMD16Z

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP RET 6DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz, 180MHz
  • 전력-최대: 350mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1010B-6
재고 있음7,560
PQMD2Z
PQMD2Z

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP RET 6DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz, 180MHz
  • 전력-최대: 230mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1010B-6
재고 있음4,392
PQMD3Z
PQMD3Z

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP RET 6DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz, 180MHz
  • 전력-최대: 230mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1010B-6
재고 있음7,668
PQMH10Z
PQMH10Z

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/NPN RET 6DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 350mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1010B-6
재고 있음5,094
PQMH11Z
PQMH11Z

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/NPN RET 6DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 230mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1010B-6
재고 있음7,722
PQMH13Z
PQMH13Z

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/NPN RET 6DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 230mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1010B-6
재고 있음2,088
PQMH2Z
PQMH2Z

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/NPN RET 6DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 230mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1010B-6
재고 있음2,538
PQMH9Z
PQMH9Z

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/NPN RET 6DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 230mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1010B-6
재고 있음6,408
PRMB11Z
PRMB11Z

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PRMB11/SOT1268/DFN1412-6

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • 주파수-전환: 180MHz
  • 전력-최대: 480mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1412-6
재고 있음5,130
PRMD10Z
PRMD10Z

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PRMD10/SOT1268/DFN1412-6

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 480mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1412-6
재고 있음46,260
PRMD12Z
PRMD12Z

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PRMD12/SOT1268/DFN1412-6

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 480mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1412-6
재고 있음52,992
PRMD13Z
PRMD13Z

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PRMD13/SOT1268/DFN1412-6

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 480mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1412-6
재고 있음45,426
PRMD16Z
PRMD16Z

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PRMD16/SOT1268/DFN1412-6

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 480mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1412-6
재고 있음44,994
PRMD2Z
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트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PRMD2/SOT1268/DFN1412-6

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 480mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1412-6
재고 있음2,196
PRMD3Z
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트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PRMD3/SOT1268/DFN1412-6

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 480mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1412-6
재고 있음45,966
PRMH10Z
PRMH10Z

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PRMH10/SOT1268/DFN1412-6

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 480mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1412-6
재고 있음51,582
PRMH11Z
PRMH11Z

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PRMH11/SOT1268/DFN1412-6

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 480mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1412-6
재고 있음5,814
PRMH13Z
PRMH13Z

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PRMH13/SOT1268/DFN1412-6

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 480mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1412-6
재고 있음3,456
PRMH2Z
PRMH2Z

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PRMH2/SOT1268/DFN1412-6

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 480mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1412-6
재고 있음39,834