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PEMB16,115
PEMB16,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음4,572
PEMB17,115
PEMB17,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음6,876
PEMB18,115
PEMB18,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음6,606
PEMB19,115
PEMB19,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음5,328
PEMB20,115
PEMB20,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음2,016
PEMB2,115
PEMB2,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음4,338
PEMB24,115
PEMB24,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 100kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 100kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음7,200
PEMB30,115
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Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음5,256
PEMB30,315
PEMB30,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음4,068
PEMB3,115
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Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음3,744
PEMB4,115
PEMB4,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음3,708
PEMB9,115
PEMB9,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음8,262
PEMB9,315
PEMB9,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음3,276
PEMD10,115
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Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음4,410
PEMD12,115
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Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음3,888
PEMD12,315
PEMD12,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음6,948
PEMD13,115
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Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음5,004
PEMD14,115
PEMD14,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음8,802
PEMD15,115
PEMD15,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음3,672
PEMD16,115
PEMD16,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음33,918
PEMD17,115
PEMD17,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음4,050
PEMD18,115
PEMD18,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음2,502
PEMD19,115
PEMD19,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음7,074
PEMD20,115
PEMD20,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음6,030
PEMD2,115
PEMD2,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음7,470
PEMD2,315
PEMD2,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음4,302
PEMD24,115
PEMD24,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 100kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 100kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음4,446
PEMD30,115
PEMD30,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음7,092
PEMD30,315
PEMD30,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음2,664
PEMD3,115
PEMD3,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음34,590