트랜지스터

AO4404BL

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SO
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4404BL_101

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8-SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.45V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SO
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4405E

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 30V 6A 8SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 495pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4405L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 6A

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SO
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4406

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4406A

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 910pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4406AL

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 910pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4406AL_103

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 910pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4407

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 20V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4407A

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 20V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4407A_102

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 20V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4407AL

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 8SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 20V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4407AL_102

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 8SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 20V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4407B

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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AO4407BL

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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AO4407L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 20V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SO
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4409

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 15A 8SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6400pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4411

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4411L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SO
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4413

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 15A 8SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V, 20V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4413_101

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 15A 8SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V, 20V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4413L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 15A 8SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V, 20V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SO
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4415

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 20V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4419

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4419_003

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SO
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4419L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SO
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4420A

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 30V 13.7A 8SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 13.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4050pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4421

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2900pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4421L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2900pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SO
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AO4423

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 20V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3033pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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