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트랜지스터

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부품 번호
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AO4496
AO4496

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 30V 10A 8SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 715pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음4,968
AO4496_101
AO4496_101

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 715pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음6,408
AO4498
AO4498

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 18A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44.5nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음4,248
AO4498E
AO4498E

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2760pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음2,880
AO4498EL
AO4498EL

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8-SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2760pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음2,412
AO4498L
AO4498L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 18A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44.5nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 3.1W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음3,744
AO4566
AO4566

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 542pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음4,338
AO4568
AO4568

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음4,356
AO4576
AO4576

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.5nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 951pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음4,842
AO4578
AO4578

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A 8-SO

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1128pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음5,994
AO4588
AO4588

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2940pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음2,898
AO4701
AO4701

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 952pF @ 15V
  • FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
  • 전력 손실 (최대): 2W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음5,328
AO4706
AO4706

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: SRFET™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.5A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 16.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 77nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5000pF @ 15V
  • FET 기능: Schottky Diode (Body)
  • 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음7,830
AO4708
AO4708

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: SRFET™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3360pF @ 15V
  • FET 기능: Schottky Diode (Body)
  • 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음4,248
AO4710
AO4710

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: SRFET™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.7A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 12.7A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2376pF @ 15V
  • FET 기능: Schottky Diode (Body)
  • 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음4,356
AO4710L_101
AO4710L_101

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.7A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 12.7A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2376pF @ 15V
  • FET 기능: Schottky Diode (Body)
  • 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음5,418
AO4712
AO4712

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11.2A 8-SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: SRFET™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 11.2A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1885pF @ 15V
  • FET 기능: Schottky Diode (Body)
  • 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음5,364
AO4714
AO4714

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: SRFET™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4512pF @ 15V
  • FET 기능: Schottky Diode (Body)
  • 전력 손실 (최대): 3W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음8,802
AO4718
AO4718

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: SRFET™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1950pF @ 15V
  • FET 기능: Schottky Diode (Body)
  • 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음4,248
AO4720
AO4720

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: SRFET™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 15V
  • FET 기능: Schottky Diode (Body)
  • 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음8,910
AO4722
AO4722

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: SRFET™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.6A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 15V
  • FET 기능: Schottky Diode (Body)
  • 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음2,682
AO4724
AO4724

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 7.7A 8SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: SRFET™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 10.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 15V
  • FET 기능: Schottky Diode (Body)
  • 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음8,190
AO4726
AO4726

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: SRFET™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 73nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3800pF @ 15V
  • FET 기능: Schottky Diode (Body)
  • 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음3,978
AO4728
AO4728

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: SRFET™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4463pF @ 15V
  • FET 기능: Schottky Diode (Body)
  • 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음8,406
AO4752
AO4752

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: AlphaMOS
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 605pF @ 15V
  • FET 기능: Schottky Diode (Body)
  • 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음91,038
AO4771
AO4771

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 4A 8SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 4A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 15V
  • FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
  • 전력 손실 (최대): 2W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음8,694
AO4771L
AO4771L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH W/DIODE 8SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 4A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 15V
  • FET 기능: Schottky Diode (Body)
  • 전력 손실 (최대): 2W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음8,622
AO4772
AO4772

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 310pF @ 15V
  • FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
  • 전력 손실 (최대): 2W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음7,236
AO4821_101
AO4821_101

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: *
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음5,778
AO5401E
AO5401E

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.5A SC89-3L

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 280mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SC-89-3
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
재고 있음7,128