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트랜지스터

기록 64,903
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부품 번호
설명
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AO6420
AO6420

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSOP
  • 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
재고 있음208,836
AO6424
AO6424

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 5A 6TSOP

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 310pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSOP
  • 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
재고 있음3,580
AO6424A
AO6424A

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSOP
  • 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
재고 있음2,664
AO6701
AO6701

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 2.3A 6TSOP

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.3A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 409pF @ 15V
  • FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
  • 전력 손실 (최대): 1.15W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSOP
  • 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
재고 있음2,916
AO6704
AO6704

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-TSOP

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.6A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 15V
  • FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
  • 전력 손실 (최대): 1.39W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSOP
  • 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
재고 있음5,544
AO7400
AO7400

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.7A SC70-3

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.82nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 390pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음1,909,452
AO7400L
AO7400L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V SC70-3

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음5,688
AO7401
AO7401

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 1.4A SC70-3

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.06nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 409pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음1,250,742
AO7401L
AO7401L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V SC70-3

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.06nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 409pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음6,840
AO7403
AO7403

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.7A SC70-3

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 700mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 700mA, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 114pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음6,318
AO7403_001
AO7403_001

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH SC70-3

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 700mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 700mA, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 114pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SC-70 (SOT323)
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음6,174
AO7404
AO7404

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1A SC70-3

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 1A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.57nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 101pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음7,884
AO7405
AO7405

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 1.4A SC70-6

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.06nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 409pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
재고 있음5,436
AO7407
AO7407

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-3

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.2A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 630mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음6,966
AO7408
AO7408

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 2A SC70-6L

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 2A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
재고 있음8,406
AO7408L
AO7408L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 2A SC70-6L

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 2A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
재고 있음8,550
AO7410
AO7410

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.7A SC70-3

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 1.7A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 285pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음6,228
AO7411
AO7411

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.8A SC70-6

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.8A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.24nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 524pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 630mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
재고 있음6,192
AO7412
AO7412

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 2.1A SC70-6

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.1A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
재고 있음5,328
AO7413
AO7413

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-3

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 113mOhm @ 1.4A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음8,388
AO7413_030
AO7413_030

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH SC70-3

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 113mOhm @ 1.4A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음6,912
AO7414
AO7414

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 2A SC70-3

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 2A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음3,798
AO7414_001
AO7414_001

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 2A SC70-3

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 2A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
재고 있음4,104
AO7415
AO7415

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 620pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 630mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
재고 있음4,518
AO7417
AO7417

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.9A SC70-6

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 745pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 570mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
재고 있음4,032
AO8807L
AO8807L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8TSSOP

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: *
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음3,924
AOB10N60L
AOB10N60L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 10A TO263

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 250W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음6,894
AOB10T60PL
AOB10T60PL

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 10A TO263

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1595pF @ 100V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 208W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음2,448
AOB1100L
AOB1100L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 8A TO263

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta), 130A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4833pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음3,942
AOB11C60
AOB11C60

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO-263

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 100V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 278W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음8,190