트랜지스터

AOB262L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 20A TO263

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 140A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9800pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB264L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 19A TO263

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 140A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8400pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB266L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 18A TO263

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 140A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 268W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB270AL

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 21.5A TO263

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21.5A (Ta), 140A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 206nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10830pF @ 37.5V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB270L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 140A TO263

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21.5A (Ta), 140A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 215nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10350pF @ 37.5V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB27S60L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 27A TO263

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: aMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1294pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 357W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB280L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 20.5A TO263

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.5A (Ta), 140A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 224nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11135pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB282L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 18.5A TO263

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18.5A (Ta), 105A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 178nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7765pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 272.5W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB284L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 16A TO263

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 105A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5154pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 250W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB286L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 13A TO263

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 70A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3142pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 167W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB288L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 80V 10.5A TO263

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.5A (Ta), 46A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1871pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 93.5W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB2904

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 120A TO263

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB2906

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V TO-263

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D2Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB290L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 18A TO263

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 140A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 126nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9550pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB2910L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 100V 6A TO263

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta), 30A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1190pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB2918L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 13A TO263

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 90A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3430pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 267W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB292L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 105A TO263

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.5A (Ta), 105A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 126nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6775pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 300W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB296L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 100V 9.5A TO263

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 70A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2785pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 107W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB298L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 9A D2PAK

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 58A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB29S50L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 29A TO263

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: aMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26.6nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1312pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 357W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB409L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 5A TO263

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta), 31.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2953pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 83.3W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB411L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 8A TO263

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta), 78A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6400pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 187W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB411L_001

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 8A TO263

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta), 78A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6400pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 187W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB412L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: SDMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A (Ta), 60A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3220pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.6W (Ta), 150W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB414

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: SDMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A (Ta), 51A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 150W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB414_001

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: SDMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A (Ta), 51A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 150W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB416

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 45A D2PAK

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: SDMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A (Ta), 45A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1450pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 150W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB4184

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 12A TO263

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB418L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: SDMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 105A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 83nC @ 10V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB42S60L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 37A TO263

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: aMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 21A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2154pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 417W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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