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트랜지스터

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부품 번호
설명
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AOB440
AOB440

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 88nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4560pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 150W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음2,808
AOB442
AOB442

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 21A TO263

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: SDMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 105A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5600pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 150W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음8,514
AOB462L
AOB462L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 7A TO263

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta), 35A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음3,544
AOB470L
AOB470L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 10A TO263

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 136nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5640pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 268W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음6,750
AOB480L
AOB480L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V D2PAK

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: SDMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 180A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7820pF @ 40V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.9W (Ta), 333W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음6,984
AOB480L_001
AOB480L_001

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V TO-263

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: *
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-263 (D2Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음5,994
AOB482L
AOB482L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V D2PAK

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: SDMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 105A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 81nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4870pF @ 40V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음5,166
AOB4S60L
AOB4S60L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: aMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 263pF @ 100V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 83W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음7,740
AOB66616L
AOB66616L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

60V N-CHANNEL ALPHASGT TM

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: AlphaSGT™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38.5A (Ta), 140A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2870pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 8.3W (Ta), 125W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-263 (D2Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음5,292
AOB66916L
AOB66916L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

100V N-CHANNEL ALPHASGT TM

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: AlphaSGT™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35.5A (Ta), 120A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6180pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 8.3W (Ta), 277W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-263 (D2Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음17,412
AOB66920L
AOB66920L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

100V N-CHANNEL ALPHASGT TM

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: AlphaSGT™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22.5A (Ta), 80A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 8.3W (Ta), 100W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-263 (D2Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음5,184
AOB7S60L
AOB7S60L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V D2PAK

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: aMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.2nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 372pF @ 100V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 104W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음7,542
AOB7S65L
AOB7S65L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 7A TO263

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: aMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 434pF @ 100V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 104W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음7,704
AOB9N70L
AOB9N70L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 700V 9A TO263

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1630pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 236W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음6,174
AOC2401
AOC2401

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3A 4WLCSP

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 1.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1327pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 550mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 4-AlphaDFN (1.57x1.57)
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
재고 있음3,562
AOC2403
AOC2403

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.8A 4WLCSP

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 405pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 450mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 4-AlphaDFN (0.97x0.97)
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
재고 있음6,750
AOC2411
AOC2411

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3.4A 4WLCSP

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1630pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 800mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (1.6x1.6)
  • 패키지 / 케이스: 4-UFBGA, WLCSP
재고 있음6,588
AOC2412
AOC2412

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 4.5A 4WLCSP

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1842pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 550mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 4-AlphaDFN (1.57x1.57)
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
재고 있음4,554
AOC2413
AOC2413

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8V 3.5A 4WLCSP

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 2.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 1.5A, 2.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 650mV @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1935pF @ 4V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 550mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 4-AlphaDFN (1.57x1.57)
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
재고 있음8,910
AOC2414
AOC2414

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8V 4.5A MCSP1.57

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 2.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 1.5A, 2.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2042pF @ 4V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 550mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 4-AlphaDFN (1.57x1.57)
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
재고 있음5,904
AOC2415
AOC2415

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.5A 4WLCSP

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1685pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 550mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 4-AlphaDFN (1.57x1.57)
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
재고 있음8,478
AOC2417
AOC2417

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.5A 4WLCSP

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 1.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1355pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 550mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 4-AlphaDFN (1.57x1.57)
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
재고 있음8,190
AOC2421
AOC2421

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8V 2.5A 4WLCSP

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 2.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 1.5A, 2.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 752pF @ 4V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 600mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 4-AlphaDFN (0.97x0.97)
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
재고 있음7,290
AOC2422
AOC2422

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8V 3.5A 4WLCSP

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 2.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1.5A, 2.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 4V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 600mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 4-AlphaDFN (0.97x0.97)
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
재고 있음5,958
AOC2423
AOC2423

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2A 4WLCSP

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 600mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 4-AlphaDFN (0.97x0.97)
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
재고 있음7,974
AOD11S60
AOD11S60

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 11A TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: aMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 3.8A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 545pF @ 100V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 208W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음364,740
AOD1N60
AOD1N60

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 650mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 45W (Tc)
  • 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음1,034,448
AOD1R4A70
AOD1R4A70

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

700V, A MOSTM N-CHANNEL POWER TR

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: aMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 354pF @ 100V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 48W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252 (DPAK)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음2,844
AOD200
AOD200

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 14A TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 36A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음7,684
AOD206_001
AOD206_001

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 18A TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: AlphaMOS
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 46A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1333pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음6,696