Vishay Semiconductor Diodes Division 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
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카테고리반도체 / 트랜지스터 / 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
기록 1
페이지 1/1
이미지 |
부품 번호 |
제조업체 |
설명 |
재고 있음 |
수량 |
시리즈 | FET 유형 | FET 기능 | 드레인-소스 전압 (Vdss) | 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | Rds On (최대) @ Id, Vgs | Vgs (th) (최대) @ Id | 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 전력-최대 | 작동 온도 | 장착 유형 | 패키지 / 케이스 | 공급자 장치 패키지 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Vishay Semiconductor Diodes Division |
MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP |
8,172 |
|
HEXFET® | 4 N-Channel (H-Bridge) | Standard | 500V | 31A | 220mOhm @ 19A, 10V | 6V @ 250µA | 160nC @ 10V | 7210pF @ 25V | 1140W | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | 16-MTP Module | 16-MTP |