1N749ATR 데이터 시트
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 4.3V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 22 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 2µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 200°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 4.3V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 22 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 2µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 12V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 30 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 100nA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 10V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 17 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 100nA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 9.1V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 10 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 100nA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 8.2V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 8 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 100nA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 7.5V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 6 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 100nA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 5.6V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 11 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 5.1V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 17 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 4.7V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 19 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 2µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 4.3V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 22 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 2µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 200°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 4.3V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 22 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 2µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 200°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 |
