2SC5171 데이터 시트
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 180V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 5µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V 전력-최대 2W 주파수-전환 200MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지 TO-220NIS |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 180V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 5µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V 전력-최대 2W 주파수-전환 200MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지 TO-220NIS |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 180V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 5µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V 전력-최대 2W 주파수-전환 200MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지 TO-220NIS |
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