2SJ668(TE16L1 데이터 시트
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Toshiba Semiconductor and Storage
웹 사이트: http://www.toshiba.com/taec/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
2SJ668(TE16L1,NQ)
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 U-MOSIII FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 170mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 700pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 20W (Tc) 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PW-MOLD 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
