3N164 데이터 시트
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 50mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs 300Ohm @ 100µA, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3.5pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 375mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-72 패키지 / 케이스 TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 50mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs 250Ohm @ 100µA, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3.5pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 375mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-72 패키지 / 케이스 TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 50mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs 250Ohm @ 100µA, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3.5pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 375mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-72 패키지 / 케이스 TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 50mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs 250Ohm @ 100µA, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3.5pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 375mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-72 패키지 / 케이스 TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
