Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

5LP01C-TB-H 데이터 시트

5LP01C-TB-H 데이터 시트
총 페이지: 6
크기: 261.68 KB
ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
이 데이터 시트는 2 부품 번호를 다룹니다.: 5LP01C-TB-H, 5LP01C-TB-E
5LP01C-TB-H 데이터 시트 페이지 1
5LP01C-TB-H 데이터 시트 페이지 2
5LP01C-TB-H 데이터 시트 페이지 3
5LP01C-TB-H 데이터 시트 페이지 4
5LP01C-TB-H 데이터 시트 페이지 5
5LP01C-TB-H 데이터 시트 페이지 6
5LP01C-TB-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23Ohm @ 40mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7.4pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

250mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

3-CP

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

5LP01C-TB-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23Ohm @ 40mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7.4pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

250mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

3-CP

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3