74AUP1G00SE-7 데이터 시트
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 74AUP 논리 유형 NAND Gate 회로 수 1 입력 수 2 특징 - 전압-공급 0.8V ~ 3.6V 전류-대기 (최대) 500nA 전류-출력 높음, 낮음 4mA, 4mA 논리 레벨-낮음 0.7V ~ 0.9V 논리 레벨-높음 1.6V ~ 2V V, 최대 CL에서 최대 전파 지연 6.5ns @ 3.3V, 30pF 작동 온도 -40°C ~ 125°C 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-353 패키지 / 케이스 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 74AUP 논리 유형 NAND Gate 회로 수 1 입력 수 2 특징 - 전압-공급 0.8V ~ 3.6V 전류-대기 (최대) 500nA 전류-출력 높음, 낮음 4mA, 4mA 논리 레벨-낮음 0.7V ~ 0.9V 논리 레벨-높음 1.6V ~ 2V V, 최대 CL에서 최대 전파 지연 6.5ns @ 3.3V, 30pF 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 X1-DFN1010-6 패키지 / 케이스 6-XFDFN |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 74AUP 논리 유형 NAND Gate 회로 수 1 입력 수 2 특징 - 전압-공급 0.8V ~ 3.6V 전류-대기 (최대) 500nA 전류-출력 높음, 낮음 4mA, 4mA 논리 레벨-낮음 0.7V ~ 0.9V 논리 레벨-높음 1.6V ~ 2V V, 최대 CL에서 최대 전파 지연 6.5ns @ 3.3V, 30pF 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 X2-DFN0808-4 패키지 / 케이스 4-XFDFN Exposed Pad |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 74AUP 논리 유형 NAND Gate 회로 수 1 입력 수 2 특징 - 전압-공급 0.8V ~ 3.6V 전류-대기 (최대) 500nA 전류-출력 높음, 낮음 4mA, 4mA 논리 레벨-낮음 0.7V ~ 0.9V 논리 레벨-높음 1.6V ~ 2V V, 최대 CL에서 최대 전파 지연 6.5ns @ 3.3V, 30pF 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 X2-DFN1010-6 패키지 / 케이스 6-XFDFN |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 74AUP 논리 유형 NAND Gate 회로 수 1 입력 수 2 특징 - 전압-공급 0.8V ~ 3.6V 전류-대기 (최대) 500nA 전류-출력 높음, 낮음 4mA, 4mA 논리 레벨-낮음 0.7V ~ 0.9V 논리 레벨-높음 1.6V ~ 2V V, 최대 CL에서 최대 전파 지연 6.5ns @ 3.3V, 30pF 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 X2-DFN1410-6 패키지 / 케이스 6-XFDFN |
