74HCT00BQ-Q100 데이터 시트
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 74HCT 논리 유형 NAND Gate 회로 수 4 입력 수 2 특징 - 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 전류-대기 (최대) 40µA 전류-출력 높음, 낮음 4mA, 4mA 논리 레벨-낮음 0.8V 논리 레벨-높음 2V V, 최대 CL에서 최대 전파 지연 12ns @ 4.5V, 50pF 작동 온도 -40°C ~ 125°C 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 14-DHVQFN (2.5x3) 패키지 / 케이스 14-VFQFN Exposed Pad |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 74HCT 논리 유형 NAND Gate 회로 수 4 입력 수 2 특징 - 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 전류-대기 (최대) 40µA 전류-출력 높음, 낮음 4mA, 4mA 논리 레벨-낮음 0.8V 논리 레벨-높음 2V V, 최대 CL에서 최대 전파 지연 12ns @ 4.5V, 50pF 작동 온도 -40°C ~ 125°C 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 14-SO 패키지 / 케이스 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 74HCT 논리 유형 NAND Gate 회로 수 4 입력 수 2 특징 - 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 전류-대기 (최대) 40µA 전류-출력 높음, 낮음 4mA, 4mA 논리 레벨-낮음 0.8V 논리 레벨-높음 2V V, 최대 CL에서 최대 전파 지연 12ns @ 4.5V, 50pF 작동 온도 -40°C ~ 125°C 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 14-TSSOP 패키지 / 케이스 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 74HC 논리 유형 NAND Gate 회로 수 4 입력 수 2 특징 - 전압-공급 2V ~ 6V 전류-대기 (최대) 40µA 전류-출력 높음, 낮음 5.2mA, 5.2mA 논리 레벨-낮음 0.5V ~ 1.8V 논리 레벨-높음 1.5V ~ 4.2V V, 최대 CL에서 최대 전파 지연 7ns @ 6V, 50pF 작동 온도 -40°C ~ 125°C 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 14-DHVQFN (2.5x3) 패키지 / 케이스 14-VFQFN Exposed Pad |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 74HC 논리 유형 NAND Gate 회로 수 4 입력 수 2 특징 - 전압-공급 2V ~ 6V 전류-대기 (최대) 40µA 전류-출력 높음, 낮음 5.2mA, 5.2mA 논리 레벨-낮음 0.5V ~ 1.8V 논리 레벨-높음 1.5V ~ 4.2V V, 최대 CL에서 최대 전파 지연 7ns @ 6V, 50pF 작동 온도 -40°C ~ 125°C 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 14-SO 패키지 / 케이스 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 74HC 논리 유형 NAND Gate 회로 수 4 입력 수 2 특징 - 전압-공급 2V ~ 6V 전류-대기 (최대) 40µA 전류-출력 높음, 낮음 5.2mA, 5.2mA 논리 레벨-낮음 0.5V ~ 1.8V 논리 레벨-높음 1.5V ~ 4.2V V, 최대 CL에서 최대 전파 지연 7ns @ 6V, 50pF 작동 온도 -40°C ~ 125°C 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 14-TSSOP 패키지 / 케이스 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
