Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

APT10M07JVR 데이터 시트

APT10M07JVR 데이터 시트
총 페이지: 4
크기: 73.04 KB
Microsemi
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: APT10M07JVR
APT10M07JVR 데이터 시트 페이지 1
APT10M07JVR 데이터 시트 페이지 2
APT10M07JVR 데이터 시트 페이지 3
APT10M07JVR 데이터 시트 페이지 4
APT10M07JVR

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS V®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

225A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1050nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

21600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

700W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

ISOTOP®

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC