BAR9002LSE6327XTSA1 데이터 시트
|
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 다이오드 유형 PIN - Single 전압-피크 역방향 (최대) 80V 현재-최대 100mA 커패시턴스 @ Vr, F 0.35pF @ 1V, 1MHz 저항 @ If, F 800mOhm @ 10mA, 100MHz 전력 손실 (최대) 150mW 작동 온도 150°C (TJ) 패키지 / 케이스 0201 (0603 Metric) 공급자 장치 패키지 PG-TSSLP-2 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 다이오드 유형 PIN - Single 전압-피크 역방향 (최대) 80V 현재-최대 100mA 커패시턴스 @ Vr, F 0.35pF @ 1V, 1MHz 저항 @ If, F 800mOhm @ 10mA, 100MHz 전력 손실 (최대) 250mW 작동 온도 150°C (TJ) 패키지 / 케이스 SOD-882 공급자 장치 패키지 PG-TSLP-2 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 다이오드 유형 PIN - 2 Independent 전압-피크 역방향 (최대) 80V 현재-최대 100mA 커패시턴스 @ Vr, F 0.35pF @ 1V, 1MHz 저항 @ If, F 800mOhm @ 10mA, 100MHz 전력 손실 (최대) 250mW 작동 온도 150°C (TJ) 패키지 / 케이스 4-XFDFN 공급자 장치 패키지 PG-TSLP-4-7 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 다이오드 유형 PIN - 2 Independent 전압-피크 역방향 (최대) 80V 현재-최대 100mA 커패시턴스 @ Vr, F 0.35pF @ 1V, 1MHz 저항 @ If, F 800mOhm @ 10mA, 100MHz 전력 손실 (최대) 250mW 작동 온도 150°C (TJ) 패키지 / 케이스 4-XFDFN 공급자 장치 패키지 PG-TSLP-4-7 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 다이오드 유형 PIN - 2 Independent 전압-피크 역방향 (최대) 80V 현재-최대 100mA 커패시턴스 @ Vr, F 0.35pF @ 1V, 1MHz 저항 @ If, F 800mOhm @ 10mA, 100MHz 전력 손실 (최대) 250mW 작동 온도 150°C (TJ) 패키지 / 케이스 4-XFDFN 공급자 장치 패키지 PG-TSLP-4-7 |
